[发明专利]使用蚀刻掩模堆叠的多掩模处理

权利要求书

1.一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法，包括：

在所述蚀刻层上形成由至少一层形成的蚀刻掩模堆叠；

在所述蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模，其中，所述第一掩模限定多个具有宽度的间距；

在所述第一掩模上形成侧壁层，其中，所述侧壁层减小由所述第一掩模限定的所述间距的宽度；

穿过所述侧壁层将第一特征组至少部分地蚀刻入所述蚀刻掩模堆叠，其中，所述第一特征组中的所述特征具有小于由所述第一掩模限定的所述间距的宽度的宽度；

去除所述掩模和侧壁层；

执行额外的特征步骤，包括：

在所述蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，其中，所述额外掩模限定多个具有宽度的间距；

在所述额外掩模上形成侧壁层，其中，所述侧壁层减小由所述额外掩模限定的所述间距的宽度；

穿过所述侧壁层将第二特征组至少部分地蚀刻入所述蚀刻掩模堆叠，其中，所述特征具有小于由所述额外掩模限定的所述间距的宽度的宽度；以及

去除所述掩模和侧壁层；以及

穿过所述蚀刻掩模堆叠中的所述第一特征组和所述第二特征组将多个特征蚀刻入所述蚀刻层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻掩模堆叠包括抗剥除层，所述抗剥除层由比所述第一掩模和所述第二掩模更抗剥除的材料制成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述抗剥除层包括无定形碳、碳氢化合物、氟代烃、和聚合物材料中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻掩模堆叠进一步包括在所述抗剥除层上的剥除保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻掩模堆叠进一步包括在所述剥除保护层和所述抗剥除层之间的蚀刻终止层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，进一步包括重复所述额外的特征步骤至少一次。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，在所述第一掩模上形成侧壁层是至少一个循环，包括：

沉积阶段，使用第一气体化学成分形成沉积等离子体，

以在所述第一掩模的侧壁上形成沉积；以及

形貌成形阶段，使用第二气体化学成分在所述第一掩模的侧壁上成形所述沉积的形貌，其中，所述第一气体化学成分不同于所述第二气体化学成分；以及

其中，所述在所述额外掩模上形成侧壁层是至少一个循环，包括：

沉积阶段，使用第三气体化学成分形成沉积等离子体，以在所述额外掩模的侧壁上形成沉积；以及

形貌成形阶段，使用第四气体化学成分在所述额外掩模的侧壁上成形所述沉积的形貌，其中，所述第三气体化学成分不同于所述第四气体化学成分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述在所述第一掩模上形成所述侧壁层被执行至少两个循环，并且所述在所述额外掩模上形成所述侧壁层被执行至少两个循环。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述形成所述侧壁层形成基本上垂直的侧壁。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述第一掩模和所述额外掩模是光刻胶掩模，并且其中，所述侧壁层由聚合物材料构成。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述去除所述掩模和侧壁层包括灰化所述掩模和侧壁层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述第一特征组的所述特征的宽度比由所述第一掩模限定的所述间距的宽度小至少50％。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，在所述第一掩模中的所述间距具有节距长度，并且其中，在所述蚀刻层中形成的所述特征具有比由所述第一掩模限定的所述间距的节距长度小至少50％的节距长度。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻所述第一特征组不蚀刻所述蚀刻层。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，进一步包括去除所述蚀刻掩模堆叠。

16.一种通过权利要求1至15中任一项所述的方法形成的半导体器件。