[发明专利]图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素及其制造方法无效
申请号: | 200680023576.3 | 申请日: | 2006-06-21 |
公开(公告)号: | CN101213670A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 李道永 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 具有 晶体管 结构 单位 像素 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素,包括:
光电二极管,其含有与半导体材料类型相反的杂质;
复位晶体管,连接至所述光电二极管,以对所述光电二极管进行初始化;以及
具有选择和读出功能的晶体管,连接至所述光电二极管,从而具有对像素和外部引出电路之间的连接进行控制的功能和读出所述像素的信息的功能。
2.如权利要求1所述的用于图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素,其中只有当所述复位晶体管和具有选择和读出功能的所述晶体管对线路进行读取时,才对所述复位晶体管和具有选择和读出功能的所述晶体管的线路施加VDD(电压源)或任意电压。
3.如权利要求1所述的用于图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素,其中所述复位晶体管和具有选择和读出功能的所述晶体管具有共用的连接层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于(株)赛丽康,未经(株)赛丽康许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680023576.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的