[发明专利]使用光电子能谱来确定层厚

权利要求书

1.一种使用电子能谱来确定层的厚度的方法，该方法包括：

对于所述层的第一电子核素确定关于所述层的厚度的第一预测强度函数；

对于所述层的第二电子核素确定关于所述层的厚度的第二预测强度函数；

确定第一和第二预测强度函数的比值；以及

将所述比值进行迭代以确定所述层的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一预测强度函数和所述第二预测强度函数也是关于所述层的电子衰减长度和由具有无限厚度的层所放射出的电子核素的测量强度的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预测强度函数和所述第二预测强度函数是关于由厚于十纳米的层所放射出的电子的强度的。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一预测强度函数和所述第二预测强度函数表示为如下形式：

I(Xi)=IinfXi·[1-e(-txλXi(X))].]]>

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电子核素的第一测量强度和所述第二电子核素的第二测量强度用于确定所述层的厚度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中对所述第一测量强度和所述第二测量强度进行拟合，并且对所述第一测量强度和所述第二测量强度进行背景差分。

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：

使用x射线光电子能谱来测量所述第一电子核素的第一强度和所述第二电子核素的第二强度。

8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：

使用俄歇电子能谱来测量所述第一电子核素的第一强度和所述第二电子核素的第二强度。

9.一种用于确定多层结构中的层的厚度的方法，该方法包括：

对于所述层的第一特征电子核素确定关于所述层的厚度的第一预测强度函数；

对于所述多层结构的第二特征电子核素确定第二预测强度函数；

确定第一和第二预测强度函数的比值；以及

对所述比值进行迭代以确定所述层的厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二特征电子核素来自所述多层结构的基片。

11.根据权利要求9所述的方法，其中如果所述层在所述多层结构的另一层之下，则确定包括关于所述另一层的厚度的衰减因数的第一预测强度函数。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述另一层包含硅氧化物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述另一层的厚度由下式得出：

t_SiO2＝sin(α)ln[I(Si0)/I(Si4+)*k+1]。