[发明专利]清洁元件、基片清洁装置和基片处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用来清洁基片的清洁元件，更具体地涉及一种清洁元件，其适合在从清洁元件中排出的污染物的数量减少的情况下工作，以防止在受到清洁的基片的逆向污染以及以稳定的方式保持对基片的高度的清洁动力，并且还涉及一种装备有所述清洁元件的基片清洁装置和基片处理装置。

背景技术

已经广泛地使用了一种用于物理清洁处理的方法，这种方法由于在移除污染物方面的较高效率以及操作简单而是非常受欢迎的，其中在将清洁液体供应至受到清洁的基片表面上的同时，将受到清洁的基片表面带入与清洁元件相接触，以使得受到清洁的基片表面上的污染物能够通过利用基片和清洁元件之间的相对运动而被移除。这种方法中使用的清洁元件经常使用一种形成为圆柱或圆盘构造的吸收性聚合物的单种材料。而且，由于聚合材料常常是多孔的并且其孔隙尺寸在几个μm至300μm的范围内，在其形成期间更易于包含颗粒。虽然充分的清洁，如果预先提供的话，能够帮助减少包含在聚合材料中的很多颗粒，但是颗粒不能够完全移除，并且在使用较大体积的清洁元件时似乎相当难以移除所包含的颗粒。

在通过这种由聚合材料制成的清洁元件所实现的清洁元件被用来清洁基片时，由于聚合材料固有的高吸水性，污染物连同清洁液体一起能够进入清洁元件内。虽然清洁元件能够将污染物颗粒捕获在孔隙中，但是其可以允许颗粒从清洁元件中排出，从而导致在基片上引起逆向污染。在清洁具有由铜等制成的金属膜所覆盖的基片时，通常所使用的清洁元件将会被铜污染到使得在数片基片上执行的清洁处理结束时就易于在视觉上识别的程度。因此，在当前的情形下，清洁基片被用来清洁基片，同时由于其吸水性的属性而让污染物不可避免地扩散。

参考专利文献清单

[专利文献1]日本专利公开出版物No.H05-317783

[专利文献2]日本专利出版物No.2875213

发明内容

为了解决上述问题，已经建议了一种用于清洁元件的自清洁方法，其中清洁液体可以喷射至清洁元件之上，或清洁元件可在装备有超声换能器的系统中在超声波的照射下在液体池中进行清洁，如上述专利文献1中所公开的，但是在实际的实践中，已经发现难以保持清洁元件一直处于令人满意的清洁水平，因为污染物常常会扩散入清洁元件内。在一种解决那些问题的方法中，已经采用了一种借助于化学溶液(例如表面活性剂)和/或一种溶解有气体的溶液进行的zeta(δ)电压控制以减少排出的污染物逆向粘着至待清洁基片的可能性。然而，实际上不可避免地，在持续使用清洁元件时，污染物能够逐渐地扩散深入至清洁元件内从而增加污染物的聚集。另外，用在基片中的任何具体类型的薄膜可能会限制待使用的清洁液体的类型，并且在如上所述的情况下，需要这些问题的基础性解决方案。

在考虑到上述观点之下已经做出了本发明，并且其目标是提供一种清洁元件、一种基片清洁装置和一种基片处理装置，它们适合在从清洁元件中排出的污染物的数量减少的情况下工作，以防止在受到清洁的基片中的逆向污染以及以稳定的方式保持对基片的高度的清洁能力。

为了完成上述目标，如权利要求1所限定的发明提供了一种基片清洁装置的清洁元件，该基片清洁装置在将清洁液体供应到基片表面上的同时，通过利用受到清洁的基片表面和被带入与基片的表面相接触的清洁元件之间的相对运动来对受到清洁的基片的表面进行清洁，该清洁元件包括防水芯部，其中芯部的表面由多孔聚合物材料覆盖以限定出覆层。

如权利要求2所限定的发明提供了根据权利要求1的清洁元件，其中多孔聚合材料由从由PVA(聚乙烯醇)聚合物、丙烯酸聚合物、其他加聚物、丙烯氨基化合物聚合物、聚氧乙烯聚合物、聚醚聚合物、缩聚物、乙烯聚合物吡咯烷酮、聚苯乙烯酸(polystyreneaurfonic acid)、氨基甲酸乙酯树脂和聚氨酯树脂所构成的组中选择的任意一种聚合材料所制成。

如权利要求3所限定的发明提供了根据权利要求1的一种清洁元件，其中多孔聚合材料的覆层的厚度在5μm至15mm范围内。

如权利要求4所限定的发明提供了根据权利要求1的一种清洁元件，其中芯部由选自于由柔性多孔泡沫塑料；包括氟橡胶、硅橡胶、膦腈橡胶和聚氨酯橡胶的软橡胶；以及环氧树脂所构成的组中的任意一种防水材料所构成。

如权利要求5所限定的发明提供了根据权利要求1的一种清洁元件，其中多孔聚合材料的覆层的硬度在潮湿状态下等于或低于100。需要注意到这里所用的硬度仪表是由Teclock制造的型号为No.GS-743G的硬度计。