[发明专利]硅的再利用方法及利用该方法制造的硅和硅锭无效

专利信息
申请号: 200680024565.7 申请日: 2006-07-03
公开(公告)号: CN101218176A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 福山稔章;奥野哲启;涌田顺三 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;H01L31/04;C01B33/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陈桉;封新琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 再利用 方法 利用 制造
【权利要求书】:

1.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:

加热熔融所述硅废料;

通过使熔融硅单向凝固,形成硅锭;和

除去所述硅锭的杂质集中部分。

2.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:

加热熔融所述硅废料;

将处理气吹入熔融硅;

通过使所述熔融硅单向凝固,形成硅锭;和

除去所述硅锭的杂质集中部分。

3.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:

加热熔融所述硅废料;和

将结晶基体(53)浸在熔融硅(55)中并使硅在所述结晶基体(53)的表面上析出。

4.根据权利要求3的硅的再利用方法,该方法还包括将所述结晶基体表面上的硅与该结晶基体分离的步骤。

5.根据权利要求3的硅的再利用方法,其中

所述硅坯料为将太阳能电池用硅原料在铸模中熔融并使熔融硅原料凝固所得到的硅锭。

6.根据权利要求5的硅的再利用方法,其中

通过切割所述硅锭得到的硅废料为所述硅锭的上表面废料(25)、侧表面废料(23)和下表面废料(24)中的至少一种。

7.根据权利要求6的硅的再利用方法,其中所述硅废料在其表面经磨削后使用。

8.根据权利要求3的硅的再利用方法,其中所述硅废料在经破碎后使用。

9.根据权利要求8的硅的再利用方法,其中在对所述硅废料进行切割之后对其进行破碎。

10.根据权利要求3的硅的再利用方法,其中所述硅废料在经清洗后使用。

11.根据权利要求10的硅的再利用方法,其中在对所述硅废料进行破碎之后对其进行清洗。

12.利用权利要求3的硅的再利用方法所制造的硅。

13.硅锭,其是将利用权利要求3的硅的再利用方法所制造的硅在铸模中熔融之后通过单向凝固所形成的。

14.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:

加热熔融所述硅废料;

将处理气吹入熔融硅;和

将结晶基体(53)浸在所述熔融硅(55)中并使硅在所述结晶基体(53)表面上析出。

15.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:

加热熔融所述硅废料;

将处理气吹入熔融硅;

除去所述熔融硅表面上的悬浮物;和

将结晶基体(53)浸在所述熔融硅(55)中并使硅在所述结晶基体(53)表面上析出。

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