[发明专利]升压型、降压型开关调节器及其控制电路、使用了它的电子设备

权利要求书

1.一种同步整流方式的升压型开关调节器的控制电路，其特征在于，包括：

第1端子，经由连接于外部的电感被提供输入电压；

第2端子，与输出电容相连；

开关晶体管，被设置在上述第1端子与接地之间；

同步整流用晶体管，被设置在上述第1端子与上述第2端子之间；

第1晶体管，被设置在上述同步整流用晶体管的背栅极与上述第1端子之间；

第2晶体管，被设置在上述同步整流用晶体管的背栅极与上述第2端子之间；以及

开关控制部，控制上述第1晶体管、第2晶体管的导通和截止。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于：

上述开关控制部在由本控制电路驱动的上述升压型开关调节器的升压停止期间，使上述第1晶体管和上述第2晶体管截止，在升压动作期间，使上述第1晶体管截止，而使上述第2晶体管导通。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于：

上述开关控制部在从上述升压型开关调节器的升压停止状态向升压动作状态转移的起动期间，在已使上述第1晶体管导通的状态下，使上述第2晶体管逐渐导通。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的控制电路，其特征在于：

上述同步整流用晶体管、上述第1晶体管和上述第2晶体管是P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。

5.一种同步整流方式的降压型开关调节器的控制电路，其特征在于，包括：

第1端子，向连接于外部的电感输出开关电压；

第2端子，被从外部提供输入电压；

开关晶体管，被设置在上述第1端子与上述第2端子之间；

同步整流用晶体管，被设置在上述第1端子与接地之间；

第1晶体管，被设置在上述开关晶体管的背栅极与上述第1端子之间；

第2晶体管，被设置在上述开关晶体管的背栅极与上述第2端子之间；以及

开关控制部，控制上述第1晶体管、第2晶体管的导通和截止。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于：

上述开关控制部在由本控制电路驱动的上述降压型开关调节器的降压停止期间，使上述第1晶体管和上述第2晶体管截止，在降压动作期间，使上述第1晶体管截止，而使上述第2晶体管导通。

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于：

上述开关控制部在从上述降压型开关调节器的降压停止状态向降压动作状态转移的起动期间，在已使上述第1晶体管截止的状态下，使上述第2晶体管逐渐导通。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的控制电路，其特征在于：

上述开关晶体管、上述第1晶体管和上述第2晶体管是P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。

9.一种可切换升压模式和降压模式的开关调节器的控制电路，其特征在于，包括：

第1开关晶体管，在升压模式时作为开关晶体管发挥作用，在降压模式时作为同步整流用晶体管发挥作用；

第2开关晶体管，在升压模式时作为同步整流用晶体管发挥作用，在降压模式时作为开关晶体管发挥作用；

第1晶体管，被设置在上述第2开关晶体管的背栅极与漏极之间；

第2晶体管，被设置在上述第2开关晶体管的背栅极与源极之间；以及

开关控制部，控制上述第1晶体管、第2晶体管的导通和截止。

10.根据权利要求1、5、9中的任一项所述的控制电路，其特征在于：

上述开关晶体管、上述同步整流用晶体管、上述第1晶体管、上述第2晶体管、以及上述开关控制部被一体集成在一个半导体衬底上。

11.一种升压型开关调节器，其特征在于：

包括

权利要求1至3中任一项所述的控制电路，

电感，其一端与上述控制电路的上述第1端子相连，另一端被施加输入电压，以及

输出电容，其一端与上述控制电路的上述第2端子相连，另一端接地；

输出上述输出电容的上述一端的电压。