[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差，其中在所述衬底内三个维度中的每一维度上，所述迁移电荷载流子均处于至少两种模式。

2.如权利要求1所述的器件，其中包含所述迁移电荷载流子的衬底层具有比所述电荷载流子波长更大的厚度。

3.一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差，

其中所述衬底包括有机材料。

4.一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差，

其中所述迁移电荷载流子具有0.01cm²/Vs到100cm²/Vs范围内的迁移率。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述迁移电荷载流子具有至少为0.1cm²/Vs的迁移率。

6.如权利要求4或5所述的器件，其中所述伸长沟道具有预定宽度，从而当在所述第一和第二衬底区域之间施加电压差以使所述迁移电荷载流子流经所述伸长沟道时，第二衬底区域中存在的电压经由所述绝缘特征影响到所述伸长沟道内存在的耗尽区的大小，由此所述沟道的导电率特性取决于所述电压差。

7.如权利要求4到6之一所述的器件，其中所述器件包括用于对例如0.5MHz到1GHz之间的RF信号进行整流的二极管。

8.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述迁移电荷载流子是电子。

9.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述迁移电荷载流子是空穴。

10.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述衬底的厚度大于20nm。

11.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述器件用作二极管。

12.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述绝缘特征还限定与所述伸长沟道相邻的第三衬底区域，用于施加电压以控制所述沟道的导电率。

13.如权利要求12所述的器件，其中在所述沟道的与第三衬底区域相反的一侧上，所述绝缘特征还限定与所述伸长沟道相邻的第四衬底区域，用于施加电压以控制所述沟道的导电率。

14.如权利要求12或13所述的器件，其中所述器件用作晶体管。

15.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述器件是平面器件，并且所述衬底设置在单个层内。

16.如权利要求15所述的器件，其中所述单个层不夹在叠层结构内由其他材料形成的两个附加层之间。

17.如权利要求15或16所述的器件，其中所述单个层限定所述器件的外表面。

18.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述衬底形成为薄膜，并设置在绝缘衬底上。

19.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述衬底包括以下至少一种：半导电聚合物；聚(3-己基)噻吩(P3HT)；有机小分子；并五苯；溶液处理的半导体纳米颗粒/量子点材料；并且所述绝缘衬底包括柔性纸、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)材料中的至少一种。

20.如前述权利要求之一所述的器件，其中所述器件还包括位于每一个所述区域上的相应电端子，用于向所述区域施加电压。