[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现装置

说明书

相关申请的交叉引用

要求获得2005年7月15日提交的日本专利申请No.2005-206733的优先权。本申请是依照35 U.S.C.§111(a)提交的申请，根据35 U.S.C.§119(e)，要求获得依照35 U.S.C.§111(b)于2005年7月27日提交的临时申请60/702,619的申请日期权益。

技术领域

本发明涉及用作信息设备中的记录介质的磁记录介质及其制造方法，以及磁记录和再现装置。

背景技术

近年来，随着各种信息设备的进步，磁记录介质的存储容量越来越增加了。具体说，在计算机中作为外存储器而扮演中心角色的磁盘的记录容量和记录密度在逐年增加。在这种情况下，需要开发一种能够进行更高密度记录的磁盘。例如，膝上型和掌上型个人电脑的发展要求配备抗冲击性很高的小尺寸记录装置，所以，就有了能进行更高密度的记录并具有高的机械强度的小尺寸磁记录介质的需求。最近，导航系统和便携式音乐回放设备也使用了包含超小磁记录介质的记录装置。

通常，这种磁记录介质(即磁盘)使用具有镀NiP表面的铝合金基底，或玻璃基底，它满足严格的要求，包括较高的抗冲击性、刚度、硬度以及化学耐久性。这种玻璃基底的优点在于，它能够容易地形成平坦的表面，适合于减小磁头在磁记录表面上的飞行高度，而飞行高度的减小对于获得高密度磁记录来说是很重要的。此外，作为磁记录层，人们曾使用面内记录方法所用的磁记录层，其中磁性层中的易磁化轴平行于基底表面取向。

为了实现更高的记录密度，近年来注意力集中在具有垂直磁记录方法所用磁记录层的磁记录介质上，以替代水平记录方法所用的磁记录层，其中，所述垂直磁记录层中的易磁化轴相对于基底表面垂直取向。就垂直磁记录介质而言，即使在更高记录密度的情形中，在记录位之间的边界处所形成的退磁场的影响也是很小的，并且所述边界形成了清晰的记录磁畴，结果是，可以提高热涨落特性和噪声特性。

采用垂直磁记录方法所用的磁记录介质，使用相对于垂直磁记录层具有优异的写入能力的单极磁头的结果是，提出了一种磁记录介质，该介质在基底和作为记录层的垂直磁记录层之间提供由软磁性材料构成的被称作是衬层的膜层，这会提高单极磁头和磁记录介质之间磁通量进出的效率。然而，即使在提供了衬层的情形中，在记录再现时也不能获得足够的记录再现特性，也不能获得足够的耐热抗退磁性和磁性分辨率。此外，为了获得这些特性都非常优异的磁记录介质，提出了指定晶体取向助长层的c轴的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)，指定与晶体取向助长层的fcc结构相关的c轴的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)(例如，参见专利文件1和专利文件2)。另外，指定晶体取向助长层和垂直磁记录层之间的取向上的差异的结果是，可以提供具有优异的记录再现特性和热涨落特性的磁记录介质，其中，垂直磁记录层在晶体取向助长层和垂直磁记录层的界面上的初始生长受到控制，在垂直磁记录层生长时晶核形成得到促进，晶粒变小，初始生长部分的厚度得到抑制，热涨落耐久性的退化得到防止(例如，参见专利文件3)。

专利文件1：日本待审专利申请公开No.Hei 08-273141

专利文件2：日本待审专利申请公开No.Hei 06-76260

专利文件3：日本待审专利申请公开No.Hei 2003-123245

发明内容

在面内磁记录介质的常规的制造方法中，使用一种技术，其中，使用金刚石研磨液或类似物以分批形式(batch format)进行抛光，但是当采用这种方法在圆周方向上形成凹槽时，会增大广域磁道误差(广域磁道消磁，wide area track erasure，WATE)，这是使用由这类方法所制备的基底的垂直磁记录介质中的一种致命缺陷。WATE是一种现象，其中，在写入信号时来自磁头主磁极的磁通穿过一个返回通道，该返回通道在磁道方向上比较宽，结果是，与正在被返回磁通记录的磁道隔开的磁道上的信号被擦除。于是，就不能获得令人满意的磁记录再现特性(诸如高的SNR)，会产生尖锐噪声，并出现粗糙致热(thermal asperity，TA)。在使用MR(磁阻效应)磁头以便提高磁记录密度的情形中，粗糙致热是这样一种现象，其中，MR元件承受的局部温度会升高，MR元件的标准输出会发生变化，这是因为MR元件与磁记录介质或污染物之类相接触的缘故。