[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在引线框材料的正表面侧或反表面侧上的预定部分，形成具有贵金属电镀层作为最上层的电镀掩模，

设置显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层作为电镀掩模的最底层，

通过使用该电镀掩模作为抗蚀剂掩模，连续地刻蚀该引线框材料，以及

形成与在包封树脂的内部布置的半导体元件电连通的外部连接端部，该外部连接端部向下凸出。

2.一种制造半导体器件的方法，包括：

在引线框材料的正表面侧上的半导体元件部分的周边周围形成的引线键合部分上，和在与该引线键合部分相一致的引线框材料的反表面侧上形成的外部连接端部上，形成具有贵金属镀层作为最上层的电镀掩模的第一步骤；

在引线框材料的反表面侧上形成抗蚀剂膜之后，通过使用在正表面侧上形成的电镀掩模作为抗蚀剂掩模，从正表面侧，在该引线框材料上执行预定深度的刻蚀处理，以便使得引线键合部分凸出的第二步骤；

在该引线框材料上安装半导体元件之后，通过键合引线来连接半导体元件的电极焊盘部分和分别对应于此的引线键合部分，由此形成导电电路的第三步骤；

包封包括半导体元件、键合引线和引线键合部分的引线框材料的正表面侧的第四步骤；以及

通过使用所形成的电镀掩模除去的抗蚀剂膜作为抗蚀剂掩模，在引线框材料的反表面侧上执行刻蚀处理，以便使得外部连接端部凸出并被独立制成的第五步骤，

其中，显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层被设置为该电镀掩模的最底层。

3.根据权利要求2的半导体器件的制造方法，其中在该引线框材料的反表面侧上形成的抗蚀剂膜具有在其处粘结的带材料，并在刻蚀之后通过剥离而除去的抗蚀剂膜。

4.根据权利要求1或2的半导体器件的制造方法，其中在该引线框材料的中心形成元件安装部分，与外部连接端部无关。

5.根据权利要求1或2的半导体器件的制造方法，其中在半导体元件下面直接设置用于热散逸的端子。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成其最上部分由贵金属电镀层构成的电镀掩模的第一步骤，在对应于在该引线框材料的正表面侧上安装的半导体元件的下部上布置的电极焊盘部分的位置，在该引线框材料的正面和反面上形成所述电镀掩模；

在该引线框材料的反表面侧上形成抗蚀剂膜之后，通过使用在该正表面侧上形成的电镀掩模作为抗蚀剂掩模，从正表面侧，在引线框材料上执行预定深度的刻蚀处理，以便使得用于电连接到电极焊盘部分的内部连接端部凸出的第二步骤；

在半导体元件和引线框材料上安装的半导体元件上的内部连接端部之间建立导电之后，树脂包封包括该半导体元件的引线框材料的正表面侧的第三步骤；以及

通过使用所形成的电镀掩模除去的抗蚀剂膜作为抗蚀剂掩模，在引线框材料的反表面侧上执行刻蚀处理，以便使得外部连接端部与内部连接端部集成并连通，从而凸出并被独立制成的第四步骤，

其中，显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层被设置为电镀掩模的最底层。

7.根据权利要求6的半导体器件的制造方法，其中在该引线框材料的反表面侧上形成的抗蚀剂膜是具有在其处粘结的带材料，并在刻蚀之后通过剥离而被除去的抗蚀剂膜。

8.一种通过根据权利要求1、2和6的任意一项的半导体器件的制造方法所制造的半导体器件。

9.一种具有外部连接端部的半导体器件，该外部连接端部电连接到包封的半导体元件并凸出到反表面侧，所述半导体器件包括：

被电连接到半导体元件的电极焊盘部分的连接端部，

其中，该连接端部和外部连接端部具有它们的最上层和最底层，所述最上层每个由贵金属电镀层构成，以及所述最底层每个由显示出刻蚀液抵抗性的基本金属电镀层或贵金属电镀层构成。