[发明专利]基材处理腔室的构件的局部表面退火有效
申请号: | 200680025268.4 | 申请日: | 2006-07-12 |
公开(公告)号: | CN101218191A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | A·巴特纳嗄;L·穆拉盖西;P·古帕拉克芮西曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C04B41/00 | 分类号: | C04B41/00;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 处理 构件 局部 表面 退火 | ||
1.一种具有一结构性本体的基材处理腔室构件,其至少包含具有经退火的微裂缝的局部表面区域,藉此该些经退火的微裂缝可以减少裂缝成长且增加碎裂阻抗性。
2.如权利要求1所述的构件,更包含经激光退火的微裂缝的局部表面区域。
3.如权利要求1所述的构件,更包含经CO2激光退火的微裂缝的局部表面区域。
4.如权利要求1所述的构件,其中该结构性本体具有围绕一内部轴的旋转对称性。
5.如权利要求1所述的构件,其中该结构性本体由一陶瓷、玻璃、或玻璃-陶瓷材料所制成。
6.如权利要求1所述的构件,其中该结构性本体包含石英。
7.如权利要求1所述的构件,其中该局部表面区域为该结构性本体的表面或边缘。
8.如权利要求1所述的构件,其中该结构性本体包含以下的至少一个:(i)比未处理本体高至少约10%的平均维克氏硬度(mean Vickershardness);或(ii)比未处理本体高至少约25%的平均碎裂应力。
9.如权利要求1所述的构件,其中该结构性本体包含一环、平板、或圆柱体。
10.一种制造基材处理腔室构件的方法,该方法至少包含:
(a)形成具有一结构性本体的构件;以及
(b)导引一激光束至该构件的局部表面区域上而持续一足够时间,以退火在该些局部表面区域上的微裂缝,
藉此经退火的微裂缝可以减少裂缝成长与增加碎裂阻抗性。
11.如权利要求10所述的方法,更包含以下的至少一个:
(i)扫描该激光束横越该些局部表面区域;或
(ii)以CO2激光产生该激光束。
12.如权利要求10所述的方法,更包含导引具有以下性质的至少一个的激光束:
(i)介于约190纳米至约10600纳米之间的波长;或
(ii)介于约5瓦特至约10000瓦特之间的功率位准。
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