[发明专利]LDMOS晶体管有效
申请号: | 200680025346.0 | 申请日: | 2006-07-10 |
公开(公告)号: | CN101218682A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 弗雷尔克·范瑞哲;斯蒂芬·J·C·H·特厄乌文;彼得拉·C·A·哈梅斯 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L23/31;H01L21/336;H01L29/08 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 荷兰爱*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ldmos 晶体管 | ||
1.一种被布置在半导体衬底(2)上的LDMOS晶体管(1),所述LDMOS晶体管(1)包括延伸经过沟道区(4)的栅电极(10)和通过所述沟道区(4)相互连接的源区(3)和漏区(5),所述漏区(5)包括漏接触区(6)和从所述漏接触区(6)向所述沟道区(4)延伸的漏外延区(7),所述LDMOS晶体管沟道区(1)进一步包括第一绝缘层(8),第一绝缘层(8)至少延伸经过毗邻所述源区(3)的所述沟道区(4)的第一部分,其中在毗邻所述第一绝缘层(8)处布置了第二绝缘层(9),所述第二绝缘层(9)厚于所述第一绝缘层(8)。
2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管(1),其中所述第一绝缘层(8)延伸经过所述沟道区(4)并经过所述漏外延区(7)的第一部分,并且其中所述第二绝缘层(9)延伸经过所述漏外延区(7)的第二部分。
3.如权利要求1所述的LDMOS晶体管(1),其中所述第二绝缘层(9)延伸经过与所述漏外延区(7)毗邻的所述沟道区(4)的第二部分。
4.如权利要求3所述的LDMOS晶体管(1),其中所述第二绝缘层(9)进一步延伸经过所述漏外延区(7)的一部分。
5.如以上权利要求之一所述的LDMOS晶体管(1),进一步包括所述栅电极(10)和所述漏接触区(6)之间的屏蔽层(11),所述屏蔽层(11)覆盖所述漏外延区(7)的一部分。
6.如以上权利要求之一所述的LDMOS晶体管(1),其中所述漏外延区(7)包括第一漏外延子区域(12)和第二漏外延子区域(13),其中所述第一漏外延子区域(12)比所述第二漏外延子区域(13)具有更高的掺杂浓度,并且所述第一漏外延子区域(12)将所述沟道区(4)和与所述漏接触区(6)毗邻的所述第二漏外延子区域(13)连接在一起。
7.如权利要求1、2、4、5或6所述的LDMOS晶体管(1),其中所述屏蔽层(11)和所述第二绝缘层(9)都延伸经过所述第一漏外延子区域(12)和所述第二漏外延子区域(13)相接的区域。
8.如权利要求5所述的LDMOS晶体管(1),其中所述屏蔽层(11)具有梯状结构。
9.如权利要求5所述的LDMOS晶体管(1),其中所述屏蔽层(11)包括金属硅化物。
10.一种制造如权利要求1所述LDMOS晶体管(1)的方法,包括如下步骤:
-在半导体衬底(2)上布置籽晶绝缘层(31),
-移除所述籽晶绝缘层(31)上选择的多个部分,从而暴露所述半导体衬底(2)上的多个部分,
-在所述半导体衬底(2)的所述暴露的多个部分上形成第一绝缘层(8)并且将所述籽晶绝缘层上未移除的部分转变成与所述第一绝缘层(8)相邻的第二绝缘层(9),其中所述第二绝缘层(9)比所述第一绝缘层(8)厚,
-在所述第一绝缘层(8)的一部分上形成栅电极(10),并且
-形成源区(3)和漏区(5),所述漏区(5)包括漏外延区(7)。
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