[发明专利]具有低的太阳辐射得热系数、增强的化学和物理性能的低发射率镀层及其制备方法

权利要求书

1.一种在衬底上的低发射率镀层，所述镀层，按自衬底向外的顺序，包括：

第一绝缘层；

第一Ag层；

第一阻挡层；

第一吸收层；

第二绝缘层；

第二Ag层；

第二吸收层；

第三绝缘层；以及

任选的外镀层

其中所述第一吸收层或第二吸收层为任选的。

2.权利要求1的镀层，其在第二Ag层和第二吸收层之间还包括第二阻挡层。

3.权利要求1的低发射率镀层，其中至少所述第一绝缘层、第二绝缘层或第三绝缘层之一为亚化学计量状态。

4.权利要求3的低发射率镀层，其中所述第一绝缘层、第二绝缘层或第三绝缘层均为亚化学计量状态。

5.权利要求1的低发射率镀层，其在第一绝缘层和第一Ag层之间还包括第一成核层。

6.权利要求1的低发射率镀层，其在第二绝缘层和第二Ag层之间还包括第二成核层。

7.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层和第二吸收层分别含有选自以下组中的材料：金属、合金、硅化物、吸收性氧化物、和氮化物。

8.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层和第二吸收层分别含有选自以下组中的材料：Ti、TiN、Si、NiCr、NiCrOx、Cr、Zr、Mo、W、和ZrSi。

9.权利要求8的低发射率镀层，其中至少所述第一吸收层和第二吸收层之一含有NiCr。

10.权利要求8的低发射率镀层，其中至少所述第一吸收层和第二吸收层之一含有Cr。

11.权利要求8的低发射率镀层，其中所述第一吸收层和第二吸收层均含有NiCr。

12.权利要求1的低发射率镀层，其中至少所述第一吸收层或第二吸收层之一能够降低镀层的透射。

13.权利要求12的低发射率镀层，其中至少一层所述吸收层含有在550nm波长下折射率为约1-约5.5的材料。

14.权利要求12的低发射率镀层，其中至少一层所述吸收层含有在550nm波长下削光系数为约1.75-约4.5的材料。

15.权利要求12的低发射率镀层，其中在绘制折射率对波长的图时，至少一层所述吸收层含有的材料具有的指数图在550nm波长下斜率为正。

16.权利要求12的低发射率镀层，其中在绘制削光系数对波长的图时，至少一层所述吸收层含有的材料具有的指数图在550nm波长下斜率为正。

17.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度大于第二吸收层。

18.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度为约0.2nm-约8nm。

19.权利要求18的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度为约1nm-约6nm。

20.权利要求19的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度为约1.5nm-约4nm。

21.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第二吸收层的厚度为约0.1nm-约8nm。

22.权利要求21的低发射率镀层，其中所述第二吸收层的厚度为约0.1nm-约5nm。

23.权利要求22的低发射率镀层，其中所述第二吸收层的厚度为约0.1nm-约1nm。

24.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度为约3nm。

25.权利要求24的低发射率镀层，其中所述第二吸收层的厚度为约0.5nm。

26.权利要求1的低发射率镀层，其中所述第一吸收层的厚度为约3.6nm。

27.权利要求26的低发射率镀层，其中所述第二吸收层的厚度为约0.1nm。