[发明专利]光电装置中的导电聚合物组合物有效
申请号: | 200680025584.1 | 申请日: | 2006-07-14 |
公开(公告)号: | CN101223236A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | A·施托伊德尔;M·麦基尔南;J·伯勒斯 | 申请(专利权)人: | CDT牛津有限公司;剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | C08L65/00 | 分类号: | C08L65/00;H01B1/12;H01L51/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 中的 导电 聚合物 组合 | ||
1.一种用于有机光发射装置的导电组合物,包括:
具有共轭主链的聚阳离子;
平衡聚阳离子上电荷的聚阴离子;和
包含侧接于聚合物主链的侧基的半导体空穴传输聚合物,每个侧基包括一个或多个XY基团,其中XY表示具有高电离常数的基团从而其可以完全电离。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中聚阳离子包括氧化导电聚(噻吩)。
3.根据权利要求2所述的组合物,其中聚阳离子包括氧化导电聚亚乙基二氧噻吩(PEDOT)。
4.根据前述任一项权利要求所述的组合物,其中组合物基本不含任何非电离聚苯乙烯磺酸。
5.根据前述任一项权利要求所述的组合物,其中聚阴离子包括电离态的空穴传输聚合物。
6.根据权利要求1-4任一项所述的组合物,其中聚阴离子包括聚合物酸。
7.根据权利要求6所述的组合物,其中聚阴离子包括电离态聚苯乙烯磺酸(PSS)。
8.根据前述任一项权利要求所述的组合物,其中空穴传输聚合物包括芳基或杂芳基重复基团(Ar)。
9.根据权利要求8所述的组合物,其中Ar表示芴、螺芴、茚并芴、亚苯基、亚苯基亚乙烯基、噻吩、苯并噻二唑或三芳胺基团。
10.根据权利要求8或9所述的组合物,其中Ar存在于侧接于聚合物主链的侧基中。
11.根据权利要求10所述的组合物,其中空穴传输聚合物包含包括化学式1的重复侧基:
其中Ar表示芳基或杂芳基基团,XY表示具有高电离常数的基团从而其完全被电离。
12.根据权利要求10或11所述的组合物,其中侧基连接于聚合物主链上的非共轭区域。
13.根据权利要求12所述的组合物,其中空穴传输聚合物包括化学式7重复单元:
其中侧基Ar-XY如前述任一权利要求中所定义。
14.根据权利要求8或9所述的组合物,其中Ar存在于聚合物主链中。
15.根据权利要求14所述的组合物,其中空穴传输聚合物包含包括通式12的重复单元:
其中R1表示任选的有机连接基,Ar和XY如前述任一权利要求中所定义。
16.根据权利要求15所述的组合物,其中R1包括截断XY和Ar间共轭作用的基团。
17.根据权利要求15或16所述的组合物,其中R1选自芳基;杂芳基;烷基;烷氧基;和全氟烷基。
18.根据权利要求15-17任一项所述的组合物,其中聚合物包含一种或多种另外的芳基或杂芳基重复单元。
19.根据权利要求18所述的组合物,其中另外的重复单元为三芳胺重复单元或芴重复单元。
20.根据前述任一项权利要求所述的组合物,其中空穴传输聚合物包括线型聚合物。
21.一种有机光发射装置,包括:
阳极;
阴极;
位于阳极和阴极间的光发射层;和
位于阳极和光发射层间的空穴注入层,
其特征在于空穴注入层包括如前述任一项权利要求所定义的组合物。
22.一种制造如权利要求21所述的有机光发射装置的方法,所述方法包括利用旋涂或喷印或辊印将权利要求1-20任一项所述的组合物沉积为一层的步骤。
23.一种制造如权利要求21所述的有机光发射装置的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)通过在第一溶剂中沉积包括如权利要求1-20任一项所述组合物的溶液形成空穴注入层;以及
(b)通过在第二溶剂中沉积包括光发射材料的溶液在空穴注入层上形成光发射层。
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