[发明专利]膜的单过硫酸盐处理

权利要求书

1.一种提高多孔聚合物膜透水性和/或清洁多孔聚合物膜的方法，包括将所述多孔聚合物膜与单过硫酸盐源相接触的步骤。

2.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述多孔聚合物膜为微滤膜或超滤膜。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述聚合物膜由疏水和亲水聚合物的共混物来制备。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述疏水聚合物选自由含氟聚合物、聚砜类聚合物、聚酰亚胺、聚丙烯腈和聚氯乙烯所组成的组中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述疏水聚合物为选自由聚偏二氟乙烯(PVdF)和PVdF共聚物所组成的组中的含氟聚合物。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述疏水聚合物为选自由聚砜、聚醚砜和聚苯砜所组成的组中的聚砜类聚合物。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述亲水聚合物选自聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和PVP共聚物、聚乙二醇(PEG)聚氧化乙烯、聚乙烯醇和聚丙烯酸。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述亲水聚合物为水溶性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)聚合物或共聚物。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述聚合物膜为PVdF/PVP共混膜或PVdF/PVP共聚物共混膜。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述单过硫酸盐源为过硫酸氢钾。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述单过硫酸盐源为混合有硫酸氢钾和硫酸钾的过硫酸氢钾。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述单过硫酸盐源为化学式为2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄的三盐。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述单过硫酸盐为单过硫酸盐阴离子水溶液的形式。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述单过硫酸盐浓度在0.1wt％～10wt％的范围内。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述单过硫酸盐浓度在0.2wt％～5wt％的范围内。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法在5～95℃间的温度下进行。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法在15～60℃间的温度下进行。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述单过硫酸盐溶液进一步包括添加剂。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述添加剂为有机酸和/或金属离子。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述有机酸为柠檬酸。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述金属离子选自Ni²⁺、Cu²⁺和Fe²⁺。

22.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜通过相转化法形成。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述膜用扩散诱导的相分离法形成。

24.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述多孔聚合物膜在铸塑或挤出后立即处理。

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述多孔聚合物膜在铸塑或挤出后作为初期湿膜立即处理。

26.根据权利要求1～24中任一项所述的方法，其中所述膜作为干膜、湿膜或再润湿膜而被处理。

27.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜与所述单过硫酸盐溶液接触并吸收所述溶液。

28.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜形式为中空纤维膜、管状膜或平片膜。

29.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述膜单独存在或布置成束或模件例如中空纤维模件或螺旋卷绕模件。

30.一种根据前述权利要求中任一项所述的方法制备的亲水化的聚合物。