[发明专利]用于校验从气体供应系统进入等离子体处理室的气体流率的方法

权利要求书

1.一种用于校验从气体供应系统到等离子体处理室的处理气体 流率的方法，所述方法包括：

a)设置第一流量控制器于第一设定点，并且以来自所述 第一流量控制器的第一设定流率流动气体，所述气体通过孔阵 列的第一孔流入在环境温度下的等离子体处理室中；

b)设置所述第一流量控制器于第二设定点，并且以来自 所述第一流量控制器的第二设定流率流动所述气体，所述气体 通过所述孔阵列的所述第一孔或第二孔流入在环境温度下的 所述等离子体处理室中；

c)为各所述第一和第二设定流率，测量所述气体进入所 述等离子体处理室的实际流率；

d)确定所述第一流量控制器的所述第一和第二设定流率 以及所述实际流率之间的关系；

e)分别测量在所述第一和第二设定流率下，所述第一和 第二孔上游的气体压力，所述室处于环境温度下；

f)使用所述实际流率以及所述测得的所述第一和第二设 定流率的上游气体压力，确定各所述第一孔和第二孔的所述第 一流量控制器的经验系数Kd；

g)设置所述第一流量控制器于第三设定点，并且以来自 所述第一流量控制器的第三设定流率流动所述气体，所述气体 通过所述第一或第二孔流入所述等离子体处理室中；

h)测量在所述第三设定流率下，所述第一或第二孔上游 的气体压力；以及

i)使用分别对于所述第一或第二孔的测得的气体压力以 及Kd，确定以所述第三设定流率通过所述第一或第二孔的气 体流率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体以粘性音速流率 通过所述第一和第二孔流动。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述气体以所述第一设 定流率和第二设定流率的每个流入所述等离子体处理室中时， 通过测量所述等离子体处理室内的压力增加速率，确定所述气 体的实际流率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对于g)，所述等离子体 处理室处于高于环境温度的温度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，g)在所述等离子体处理 室中半导体基片的等离子体处理之前或期间进行。

6.根据权利要求1所述的方法，包括对第二流量控制器以及相同 或不同的气体重复a)-i)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该等离子体处理室包括内 部和外部区域，通过该内部和外部区域，由喷头电极通过该孔 阵列提供处理气体。

8.根据权利要求1所述的方法，包括在a)-c)之后进行e)。

9.根据权利要求1所述的方法，包括与a)-c)同时进行e)。

10.根据权利要求1所述的方法，包括，对于a)、b)和g)，利用 所述气体供应系统的控制部分自动确定所述气体从所述第一 流量控制器流到的所述孔阵列的第一或第二孔，对于各个所述 第一、第二和第三设定流率，所述气体以粘性音速流率通过所 述第一孔和/或所述第二孔流动。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一和第二流量控制器 是质量流量控制器。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，该气体是调谐气体。

13.根据权利要求1所述的方法，包括利用各自的替换流量控制 器，替换所述第一流量控制器和/或所述第二流量控制器，并 重复a)-f)。

14.根据权利要求1所述的方法，包括使用不同的气体重复a)-f)。