[发明专利]信息记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种信息记录介质，其包含分别具有记录层的至少两个信息层，各记录层可生成能够进行光学检测的相变化，其中，在设接近光的入射侧的一方为信息层a、远离光的入射侧的一方为信息层b时，所述信息层a自接近光入射的一侧起，依次至少具有电介质层a1、记录层a、电介质层a2及反射层a，所述信息层b自接近光入射的一侧起，依次至少具有电介质层1b、记录层b、电介质层2b及反射层b，

所述电介质层1a及2a与记录层a相接，且所述电介质层1b及2b与记录层b相接，

所述电介质层1a及所述电介质层1b包含选自氧原子、氮原子及氟原子中的至少一种原子，且在包含氧原子时，包含选自Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr及Hf中的至少一种元素，在包含氮原子时，包含选自Al、B、Ge、Si、Ti及Zr中的至少一种原子，在包含氟原子时，包含选自Dy、Er、Eu、Ce、Bi及La中的至少一种元素，

所述电介质层2a及所述电介质层2b包含选自Zr、Si、Cr、In、Ga及Hf中的至少一种元素及氧原子，

所述电介质层1a的组成与所述电介质层1b的组成相同，所述记录层a的组成与所述记录层b的组成相同，且所述电介质层2a的组成与所述电介质层2b的组成相同。

2.如权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述电介质层1a及所述电介质层1b包含选自Al、Si、Cr、Ta、Mo、W、Zr及Hf的氧化物、Al、B、Ge、Si、Ti及Zr的氮化物、Dy、Er、Eu、Ce、Bi及La的氟化物中的至少一种化合物，所述电介质层2a及所述电介质层2b包含选自Zr、Si、Cr、In、Ga及Hf的氧化物中的至少一种化合物。

3.如权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述反射层a的组成与所述反射层b的组成相同。

4.如权利要求3所述的信息记录介质，其中，所述反射层a的厚度比所述反射层b的厚度小。

5.如权利要求3或4所述的信息记录介质，其中，所述反射层a及所述反射层b包含90at％以上的选自Ag、Al及Au中的至少一种元素。

6.如权利要求1～4中任一项所述的信息记录介质，其中，在选自所述电介质层1a和所述电介质层1b的组合、所述记录层a和所述记录层b的组合及所述电介质层2a和所述电介质层2b的组合中的至少一个组合中，层的厚度彼此不同。

7.如权利要求1～6中任一项所述的信息记录介质，其中，所述记录层a的厚度比所述记录层b的厚度小。

8.如权利要求1～7中任一项所述的信息记录介质，其中，还包含相接于所述电介质层1a的与所述记录层a相接的一侧的相反侧的电介质层3a及相接于所述电介质层1b的与所述记录层b相接的一侧的相反侧的电介质层3b，所述电介质层3a的组成与所述电介质层3b的组成相同。

9.如权利要求1～8中任一项所述的信息记录介质，其中，所述信息层a还具有高折射率层a，自入射光的一侧起，依次设有所述电介质层2a、所述反射层a及所述高折射率层a，且在设用于记录再生的光的波长中的所述电介质层1a的折射率为nal、所述电介质层2a的折射率为na2及所述高折射率层的折射率为na3时，满足n1a＜n3a及n2a＜n3a。

10.如权利要求9所述的信息记录介质，其中，所述高折射率层优选包含选自Ti及Nb中的至少一种元素、以及氧原子及氮原子的任意之一或两者。

11.如权利要求1～10中任一项所述的信息记录介质，其中，所述记录层a及所述记录层b包含Te及Ge。

12.如权利要求11所述的信息记录介质，其中，所述记录层a及所述记录层b还包含选自In、Bi、Sn、Ag、Sb、Ga及Al中的至少一种元素。

13.如权利要求12所述的信息记录介质，其中，所述记录层a及所述记录层b包含由下述式(11)表示的Ge-Bi-Te-M”类材料，

Ge_aBi_bTe_dM”_100-a-b-d(at％)    (11)

式中，M”表示选自Al、Ga及In中的至少一种元素，a、b及d满足25≤a≤60、0＜b≤18、35≤d≤55、82≤a+b+d＜100。