[发明专利]有机薄膜晶体管和有源矩阵显示器有效
| 申请号： | 200680026297.2 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101223645A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 山贺匠;友野英纪;川岛伊久卫 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 有源 矩阵 显示器 | ||
1.一种有机薄膜晶体管，包括：
基底；
栅电极；
栅绝缘膜；
在栅绝缘膜上的源电极；
在栅绝缘膜上与源电极间隔的漏电极；和
有机半导体层，
其中
栅绝缘膜包括其表面能通过能量沉积改变的电极形成区域，
电极形成区域的一个或多个角具有钝角形状，并且
源电极和/或漏电极形成在电极形成区域中以具有与具有钝角形状的角的电极形成区域基本上相同的形状。
2.一种有机薄膜晶体管，包括：
基底；
栅电极；
栅绝缘膜；
在栅绝缘膜上的源电极；
在栅绝缘膜上与源电极间隔的漏电极；和
有机半导体层，
其中
栅绝缘膜包括其表面能通过能量沉积改变的电极形成区域，
电极形成区域的一个或多个角具有圆形形状，并且
源电极和/或漏电极形成在电极形成区域中以具有与具有圆形角的电极形成区域基本上相同的形状。
3.一种有机薄膜晶体管，包括：
基底；
栅电极；
栅绝缘膜；
在栅绝缘膜上的源电极；
在栅绝缘膜上与源电极间隔的漏电极；和
有机半导体层，
其中
源电极和漏电极形成在栅绝缘膜上，所述栅绝缘膜具有通过能量沉积增加的表面能，并且
源电极和/或漏电极具有至少一个突出部分。
4.权利要求3所要求的有机薄膜晶体管，其中源电极和漏电极中的至少一种具有与栅绝缘膜的部分基本上相同的形状，所述部分具有增加的表面能。
5.权利要求4所要求的有机薄膜晶体管，其中具有增加的表面能的栅绝缘膜的部分通过紫外线的照射形成。
6.权利要求1所要求的有机薄膜晶体管，其中栅绝缘膜是由聚合物材料形成的有机绝缘膜。
7.权利要求6所要求的有机薄膜晶体管，其中有机绝缘膜包括聚酰亚胺膜。
8.权利要求1所要求的有机薄膜晶体管，其中栅电极、源电极和漏电极由金属油墨形成，该金属油墨通过分散金属细颗粒得到。
9.权利要求8所要求的有机薄膜晶体管，其中金属细颗粒包括Au、Ag、Cu和Ni的至少一种作为主要组分。
10.权利要求1所要求的有机薄膜晶体管，其中栅电极、源电极和漏电极由导电聚合物材料形成。
11.权利要求10所要求的有机薄膜晶体管，其中导电聚合物材料包括聚亚乙基二氧噻吩。
12.权利要求1所要求的有机薄膜晶体管，其中源电极和漏电极通过喷墨印刷或分配器印刷形成。
13.权利要求1所要求的有机薄膜晶体管，其中有机半导体层通过喷墨印刷或分配器印刷形成。
14.权利要求9所要求的有机薄膜晶体管，其中有机半导体层由具有三烯丙基胺结构的聚合物材料形成。
15.一种有源矩阵显示器，包括：
多个像素，每个像素具有有机薄膜晶体管作为有源器件；
其中
有机薄膜晶体管包括
基底；
栅电极；
栅绝缘膜；
在栅绝缘膜上的源电极；
在栅绝缘膜上与源电极间隔的漏电极；和
有机半导体层，
其中
栅绝缘膜包括其表面能通过能量沉积改变的电极形成区域，
电极形成区域的至少一个或多个角具有钝角形状，并且
源电极和/或漏电极形成在电极形成区域中以具有与电极形成区域基本上相同的形状，所述电极形成区域具有钝角形状的角。
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