[发明专利]磁数据擦除装置无效
申请号: | 200680026365.5 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101223583A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 伊藤智章 | 申请(专利权)人: | 东洋测器电脑株式会社 |
主分类号: | G11B5/024 | 分类号: | G11B5/024 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 擦除 装置 | ||
技术领域
本发明涉及进行记录在磁记录介质中的数据的擦除处理的磁数据擦除装置。
背景技术
利用磁性记录模拟数据、数字数据的磁记录介质有很多种。例如,作为记录模拟数据的磁记录介质有VHS(Video Home System:家用视频系统)录像带,8mm录像带等,在记录数字数据的磁记录介质中有通用计算机用的磁带(MT:Magnetic Tape)等。此外,使用光和磁性两者进行记录的光磁盘(MO:Magneto Optical Disc)等也被实用化。
在再利用或废弃这些磁记录介质的情况下,为了防止数据被他人读取,采取使用数据擦除软件等使磁数据不能还原、机械地破坏硬盘本身等安全措施。磁记录介质能够擦除已记录的数据并再利用,但是仅对介质进行物理格式化或逻辑格式化,已记录的数据不能被擦除,在确保安全方面存在问题。因此,在再利用时,必须盖写确保安全的无意义的数据以擦除原来的数据,需要很多的工夫和时间。
因此,本申请的发明者,在本申请之前,在专利文献1(日本特开2005-78713号)中提案了能够完全擦除记录在内置于计算机的硬盘或通用计算机使用的磁带等中的磁数据的磁数据擦除装置。通过使用该磁数据擦除装置,不需要盖写无意义的数据的工夫或时间,能够在短时间内可靠地擦除硬盘或磁带的记录数据,能够确保再利用时的安全性。
专利文献1:日本特开2005-78713号
发明内容
但是,在专利文献1(日本特开2005-78713号)中提出的磁数据擦除装置,因为通过一下子释放积蓄于电容器的大量的电荷,在线圈中流过大电流,产生强磁场,所以需要大电容的电容器,价格高。此外,万一使用者接触已充电的电容器,担心会因为触电引起重大事故。
本发明是鉴于上述情况提出的,其目的在于以简单的结构提供价格低、安全性提高的磁数据擦除装置。
为了达到上述目的而提出的本发明的一个方式是,一种磁数据擦除装置,其特征在于,具有:电源电路部,收容磁记录介质或内置磁记录介质的机器的收容部,一次线圈和二次线圈,一次线圈与电源电路部连接,二次线圈能够短路,通过来自电源电路部的通电使一次线圈励磁,由此在二次线圈中产生感应电流,通过一次线圈和二次线圈的相互作用产生交变磁场,擦除记录于收容在收容部的磁记录介质中的磁数据。
在本方式的磁数据擦除装置中,二次线圈可以常时被短路,也可以通过开关等暂时短路。此外,优选一次线圈和二次线圈卷绕在收容部的外周部上。
此处,所谓磁数据的“擦除”是指擦除被磁性记录的信息,并不一定限于完全消除磁性记录本身,回到白纸状态。即,包括扰乱磁数据,部分擦除磁数据,擦除信息至不可能还原和读取数据的程度。作为“内置磁记录介质的机器”的例子可举出计算机主体。
本方式的磁数据擦除装置由以一次线圈和二次线圈为中心的简单结构构成。此外,在本方式的磁数据擦除装置中,因为通过一次线圈和二次线圈的相互作用产生交变磁场,所以即使在使用电容器的情况下,也不需要大电容的电容器,与现有技术的磁数据擦除装置相比,用小电容的电容器即可。因此,本方式的磁数据擦除装置价格低且安全性高。
优选上述交变磁场是随着时间的经过,磁通密度的最大值降低的衰减交变磁场。
在该优选方式的磁数据擦除装置中,因为交变磁场为衰减交变磁场,所以即使例如在处理内置有作为磁记录介质的硬盘装置的计算机主体的情况下,也能够不破坏计算机的内部电路或液晶显示器地擦除磁数据。
也可以在上述电源电路部生成随着时间的经过,波峰值减小的衰减交变电压。
优选在上述电源电路部和一次线圈之间具有开关,该开关切换以下状态:从电源电路部将电压施加于一次线圈的状态和一次线圈被短路的状态。
优选磁数据擦除装置的收容部为能够照原样收容磁记录介质或内置磁记录介质的机器的形状。
一次线圈和二次线圈可以卷绕于收容部的外周部上的相互隔离的位置。
可以将一次线圈和二次线圈中的一个卷绕在收容部的外周部上,另一个卷绕在其上。一次线圈和二次线圈的导线的方向也可以不同。
一次线圈和二次线圈可以混合地卷绕于收容部的外周部上。例如,可以是将一次线圈和二次线圈的导线交互地卷绕在收容部的外周部上的状态。
电源电路部可以具有电容器和向该电容器进行充电的充电电路,通过上述一次线圈对充电至上述电容器的电荷进行放电,在上述收容部的内部产生衰减交变磁场。
能够采用也能够对二次线圈通电的结构。
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