[发明专利]硅喷动流化床

权利要求书

1.一种加热的硅沉积反应器系统，包含：

多个硅粒子；

容器，该容器具有限定腔室的壁，所述腔室含有所述粒子；

至少一个喷嘴，所述喷嘴具有开口，该开口布置成将含硅气体向上喷射到所述腔室中以在淹没式喷动中循环所述粒子；和

至少一个二级孔，所述二级孔与所述喷嘴横向间隔开并布置成将气体喷射到所述腔室中作为向着所述喷动或与所述喷动并排地向上延伸的射流。

2.如权利要求1所述的反应器系统，包含在每个喷嘴周围的间隔开的多个二级孔。

3.如权利要求1所述的反应器系统，其中至少一个二级孔布置成将气体向上喷射到所述腔室中作为基本竖直延伸的射流。

4.如权利要求1所述的反应器系统，其中至少一个二级孔被布置成将气体向上喷射到所述腔室中作为射流，该射流相对于水平线以15°至165°的角度延伸，90°平行于所述喷嘴中心线。

5.如权利要求1所述的反应器系统，其中至少一个二级孔布置成将气体向上喷射到所述腔室中作为射流，该射流在相对于孔中心线和所述喷嘴产生的所述喷动的中心线之间的线成0°至180°的角度的所述水平方向上延伸，0°为所述线本身。

6.如权利要求1所述的反应器系统，其中至少一个二级孔布置成在所述射流影响所述喷动的形状的位置喷射气体作为射流。

7.如权利要求1所述的反应器系统，包含：

至少两个喷嘴；和

流量控制器，该流量控制器连接到每个喷嘴并可用于分开地控制通过每个喷嘴的气体的流量。

8.如权利要求1所述的反应器系统，包含：

邻近所述喷嘴的一组至少两个二级孔；和

流量控制器，该流量控制器连接到围绕所述喷嘴的所述二级孔的一个或多个并可用于分开地控制到达所述二级孔的一个或多个的气体的所述流量。

9.如权利要求1所述的反应器系统，其中至少一个二级孔水平地布置成离所述喷嘴的周边不小于0.2cm并且离所述喷嘴足够近以影响所述喷动。

10.如权利要求1-9中任一项所述的反应器系统，其中所述腔室构造成具有至少两个区域，所述至少两个区域包括：

至少一个喷动腔室，所述喷动腔室包含所述至少一个喷嘴和淹没式喷动；和

上层区域，所述上层区域与所述至少一个喷动腔室连通并位于其上方以接收从所述至少一个喷动腔室向上移动的气体。

11.如权利要求10所述的反应器系统，其中至少一个喷嘴具有位于所述腔室的底部上方且位于所述上层区域下方的尖端。

12.一种加热的硅沉积反应器系统，包含：

多个硅粒子；

容器，该容器具有限定腔室的壁，所述腔室含有所述粒子；和

至少两个间隔开的喷嘴，每个喷嘴布置成将含硅气体向上喷射到所述腔室中以在淹没式喷动中围绕所述喷嘴循环粒子。

13.如权利要求12所述的反应器系统，还包含流量控制器，该流量控制器连接到每个喷嘴并可用于分开地控制通过每个喷嘴的气体的流量。

14.如权利要求12所述的反应器系统，包含至少三个间隔开的喷嘴，每个喷嘴具有开口，该开口布置成将气体向上地喷射到所述腔室中以在淹没式喷动中围绕所述喷嘴循环粒子，所述喷嘴布置成使得所述喷嘴中的每个喷嘴的中心线离最接近的两个其他喷嘴的中心线的水平距离基本相等。

15.如权利要求12所述的反应器系统，其中：

喷嘴之间的最小水平距离为10cm；并且

所述喷嘴的水平间隔使得每平方米的喷嘴的数目不大于50个。

16.如权利要求12-15中任一项所述的反应器系统，其中所述腔室构造成具有至少两个区域，所述至少两个区域包括：

一个或多个喷动腔室，所述喷动腔室包含所述喷嘴和淹没式喷动；和

上层区域，所述上层区域与所述一个或多个喷动腔室连通并位于其上方以接受从所述一个或多个喷动腔室向上移动的气体。

17.如权利要求16所述的反应器系统，其中至少一个二级孔与所述喷嘴中的至少一个横向地间隔开并布置成将气体喷射到所述腔室中作为射流，该射流向着所述喷动或与所述喷动并排地向上延伸。