[发明专利]半导体图像传感器模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体图像传感器模块，其特征在于，层合有第一半导体芯片和第二半导体芯片，

所述第一半导体芯片，其具备把多个像素规则配列且所述各像素由光电转换元件和晶体管构成的图像传感器；

所述第二半导体芯片，其具备由多个模/数转换器构成的模/数转换器阵列。

2.如权利要求1所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，进一步层合了第三半导体芯片，该第三半导体芯片至少具备包括编码器和读出放大器的存储器元件阵列。

3.如权利要求2所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，使多个光电转换元件和多个存储器元件以共有一个模/数转换器的方式把所述第一和第二半导体芯片相对于所述第三半导体芯片接近配置。

4.如权利要求3所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件是易失性存储器。

5.如权利要求3所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件是浮动栅型非易失性存储器。

6.如权利要求3所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件是MONOS型非易失性存储器。

7.如权利要求3所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件是取多值的非易失性存储器。

8.如权利要求2所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件阵列中具有奇偶校验用存储位。

9.如权利要求2所述的半导体图像传感器模块，其特征在于，所述存储器元件阵列中具有缺陷救济用预备位。

10.一种半导体图像传感器模块，其特征在于，层合有第一半导体芯片和第四半导体芯片，

所述第一半导体芯片，其具备把多个像素规则配列且所述各像素由光电转换元件和晶体管构成的图像传感器；

所述第四半导体芯片，其具备由多个模拟型非易失性存储器构成的模拟型非易失性存储器阵列，

其中，利用所述模拟型非易失性存储器来记忆根据积蓄电荷量的信息量。

11.一种半导体图像传感器模块的制造方法，其特征在于，包括：形成第一半导体芯片的工序，该第一半导体芯片具备把各像素由光电转换元件和晶体管构成的多个像素二维规则配列的图像传感器；

形成第二半导体芯片的工序，该第二半导体芯片具备由多个模/数转换器构成的模/数转换器阵列；

把所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片层合，并且以倒置并且利用凸出接合或者利用相对LSI芯片垂直贯通晶片的通孔连接所述图像传感器的像素与所述模/数转换器的工序。

12.如权利要求11所述的半导体图像传感器模块的制造方法，其特征在于，

具有形成第三半导体芯片的工序，该第三半导体芯片至少具备编码器和读出放大器的存储器元件阵列，

且具有把所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片层合，而把所述图像传感器的像素通过所述模/数转换器而与所述存储器连接的工序，该连接工序由相对晶片面垂直贯通晶片的通孔进行连接。

13.一种半导体图像传感器模块的制造方法，其特征在于，包括：形成第一半导体芯片的工序，该第一半导体芯片具备把各像素由光电转换元件和晶体管构成的多个像素二维规则配列的图像传感器、

形成第四半导体芯片的工序，该第四半导体芯片具备由多个模拟型非易失性存储器构成的模拟非易失性存储器阵列、

把所述第一半导体芯片与所述第四半导体芯片层合而连接所述图像传感器的像素与所述模拟型非易失性存储器的工序。