[发明专利]半导体装置、模块以及电子设备无效
申请号: | 200680026692.0 | 申请日: | 2006-07-14 |
公开(公告)号: | CN101228778A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 山田宣幸 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H04N1/028 | 分类号: | H04N1/028 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 模块 以及 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,具有:接受输入电位的输入端子;和转换电路,其接收第1信号并使其位移,且输出以上述输入电位为基准的第2信号,
上述转换电路具有:
电容器,连接在被输入上述第1信号的第1节点与输出上述第2信号的第2节点之间;
第1开关,设在上述第2节点与中间节点之间;和
第2开关,设在上述中间节点与上述输入端子之间,与上述第1开关一同导通。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述转换电路把上述第2信号的基准固定为上述输入电位。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具有光电转换部,把入射的光转换成电信号并输出上述第1信号。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1开关具有连接在上述另一端部与上述中间节点之间的第1MOS晶体管,
上述第2开关具有连接在上述输入端子与上述中间节点之间的,向背栅提供恒定电位的第2MOS晶体管,
上述第2MOS晶体管的栅极宽度比上述第1MOS晶体管的栅极宽度宽。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
上述半导体装置还具有控制上述第1和第2MOS晶体管的控制电路,
上述控制电路在把上述第1MOS晶体管设定为非导通状态之后,把上述第2MOS晶体管设定为非导通状态。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
上述控制电路在把上述第2MOS晶体管设定为导通状态之后,把上述第1MOS晶体管设定为导通状态。
7.一种模块,其特征在于,
具有多个半导体装置,
上述多个半导体装置各自具有:接受输入电位的输入端子;和转换电路,其接收第1信号并使其位移,且输出以上述输入电位为基准的第2信号,
上述转换电路具有:
连接在被输入上述第1信号的第1节点与输出上述第2信号的第2节点之间的电容器;
设在上述第2节点与中间节点之间的第1开关;和
设在上述中间节点与上述输入端子之间的、与上述第1开关一同导通的第2开关。
8.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,
上述转换电路把上述第2信号的基准固定为上述输入电位。
9.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,
还具有把入射的光转换成电信号并输出上述第1信号的光电转换部。
10.根据权利要求7所述的模块,其特征在于,
上述第1开关具有连接在上述另一端部与上述中间节点之间的第1MOS晶体管,
上述第2开关具有连接在上述输入端子与上述中间节点之间的、向背栅提供恒定电位的第2MOS晶体管,
上述第2MOS晶体管的栅极宽度比上述第1MOS晶体管的栅极宽度宽。
11.根据权利要求10所述的模块,其特征在于,
上述多个半导体装置各自还具有控制上述第1和第2MOS晶体管的控制电路,
上述控制电路在把上述第1MOS晶体管设定为非导通状态之后,把上述第2MOS晶体管设定为非导通状态。
12.根据权利要求11所述的模块,其特征在于,
上述控制电路在把上述第2MOS晶体管设定为导通状态之后,把上述第1MOS晶体管设定为导通状态。
13.一种电子设备,其特征在于,
具有包括多个半导体装置的模块,
上述多个半导体装置各自具有:接受输入电位的输入端子;和转换电路,其接收第1信号并使其位移,且输出以上述输入电位为基准的第2信号,
上述转换电路具有:
连接在被输入上述第1信号的第1节点与输出上述第2信号的第2节点之间的电容器;
设在上述第2节点与中间节点之间的第1开关;和
设在上述中间节点与上述输入端子之间的、与上述第1开关一同导通的第2开关。
14.根据权利要求13所述的电子设备,其特征在于,
上述转换电路把上述第2信号的基准固定为上述输入电位。
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