[发明专利]ZnTe单晶衬底的热处理方法及ZnTe单晶衬底有效
| 申请号： | 200680026704.X | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101228300A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;佐藤贤次;清水孝幸 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | znte 衬底 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnTe单晶衬底的热处理方法，其具有以下工序：升温至第1热处理温度T1、仅保持规定时间的第1工序；以规定的速度慢慢从所述第1热处理温度T1降温至低于该热处理温度T1的第2热处理温度T2的第2工序，其特征在于，在将所述第1热处理温度T1设定为700℃≤T1≤1250℃范围的同时，将所述第2热处理温度T2设定为T2≤T1-50的范围。
2.权利要求1所述的ZnTe单晶衬底的热处理方法，所述第1和第2工序在至少1kPa以上的Zn气氛中进行。
3.权利要求1或2所述的ZnTe单晶衬底的热处理方法，其特征在于，所述ZnTe单晶衬底的厚度为1mm以上。
4.权利要求1～3任一项所述的ZnTe单晶衬底的热处理方法，其特征在于，将所述第1和第2工序作为1个循环，仅重复规定的循环数。
5.光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，厚度为1mm以上，结晶内所含的析出物的大小为2μm以下，密度小于200cm-3。
6.权利要求5所述的光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，相对于波长700～1500nm的光线，透光率为50％以上。
7.权利要求6所述的光调制元件用的ZnTe单晶衬底，其特征在于，相对于波长900～1500nm的光线，透光率为60％以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日矿金属株式会社，未经日矿金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680026704.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
