[发明专利]正交磁通门磁场传感器

权利要求书

1.一种用于测量外部磁场H_ext的正交磁通门传感器，包括：

导体，用于携带励磁电流I_exc；

可饱和磁性材料，适合于在由该励磁电流生成的磁场中饱和；以及

至少一个拾取线圈(10)，适合于检测在该磁性材料附近的磁场中的变化，其中

该励磁导体包括导电的、非磁性材料的实质上线性延长部，其形成励磁杆(6)，该磁性材料以覆层(8)的形式围绕该励磁杆。

2.根据权利要求1的传感器，其中该铁磁覆层围绕该励磁杆沉积并与其直接接触。

3.根据权利要求1或2的传感器，其中该拾取线圈、铁磁覆层和励磁导体以通过沉积和图案化形成的多层的形式堆积于衬底(16，16a)上。

4.根据前一权利要求的传感器，其中该传感器还包括用于驱动该励磁电流以及处理该拾取线圈的信号的电路，其集成在该衬底中。

5.根据前一权利要求的传感器，其中该处理电路和拾取线圈被在CMOS工艺中集成，该铁磁覆层和励磁杆堆积在该处理电路和拾取线圈上。

6.根据任一在前权利要求的传感器，其中该拾取线圈包括彼此上下堆叠的至少两层平面螺线(12a，12b)。

7.根据任一在前权利要求的传感器，其中该拾取线圈包括至少两个线圈部，其中一个位于该铁磁覆层的每个纵向末端(14)。

8.根据前一权利要求的传感器，其中各个拾取线圈部的中心位于该铁磁覆层的所述纵向末端的附近。