[发明专利]导电复合材料

权利要求书

1.一种导电复合材料，包括：

悬浮基体，和

悬浮在所述悬浮基体中的金属纳米粒子，

其中所述导电复合材料具有大于10⁴Scm^-1的电导率。

2.一种导电复合材料，包括：

悬浮基体，和

悬浮在所述悬浮基体中的金属纳米粒子，

其中所述导电复合材料具有至少200℃的热耐受限度。

3.根据权利要求2所述的导电复合材料，其中所述热耐受限度为至少250℃。

4.根据权利要求2所述的导电复合材料，其中所述热耐受限度为至少300℃。

5.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述导电复合材料耐受溶剂，而不会有显著的机械变形或电性能的退化。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的导电复合材料，其中所述导电复合材料的电导率大于10⁴Scm^-1。

7.根据权利要求2-5中任一项所述的导电复合材料，其中所述导电复合材料的电导率为10^-6至10⁵Scm^-1。

8.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述金属纳米粒子的平均直径小于20nm。

9.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述金属纳米粒子的平均直径小于5nm。

10.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述金属纳米粒子是惰性金属纳米粒子。

11.根据权利要求10所述的导电复合材料，其中所述惰性金属选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)和/或其任意组合。

12.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述悬浮基体是聚合物基体。

13.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述悬浮基体是导电聚合物基体。

14.根据权利要求13所述的导电复合材料，其中所述导电聚合物选自聚乙撑二氧噻吩(PEDT)，聚电解质配合物聚(3，4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸盐PEDT∶PSS，和聚(3，4-乙撑二氧噻吩)-Nafion。

15.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述悬浮基体的体积分数小于70％。

16.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其中所述悬浮基体的体积分数大于20％。

17.根据前述权利要求中任一项所述的导电复合材料，其具有小于50μm的厚度。

18.一种制备金属复合纳米粒子的方法，包括：

将保护性单层材料与金属盐、还原剂和相转移剂混合，

从所述混合物中提取被保护的金属纳米粒子，

其中保护性单层材料包括一个或多个烷基链或芳族部分，所述烷基链或芳族部分在一端用能够与所述被保护的金属纳米粒子结合的基团(X)官能化，并且在另一端用能够在非有机溶剂中溶剂化的基团(Y)官能化，使得X和Y之间的距离大于10埃。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述被保护的金属纳米粒子的溶解度大于10mg/mL^-1。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述被保护的金属纳米粒子的溶解度大于50mg/mL^-1。

21.根据权利要求18所述的方法，其中所述被保护的金属纳米粒子的溶解度大于75mg/mL^-1。

22.根据权利要求18-21中任一项所述的方法，其中所述被保护的金属纳米粒子是非聚集的簇或胶体。

23.根据权利要求18-22中任一项所述的方法，其中所述被保护的金属纳米粒子是多分散的，其具有以数目计大于20％的显著分数的直径小于3nm的小粒度纳米粒子。