[发明专利]在大型平板上进行溅镀的方法和装置有效
申请号: | 200680027042.8 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101553595A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | H-M·胡·勒;A·霍斯卡瓦;A·特珀曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大型 平板 进行 方法 装置 | ||
1.一种溅射磁控管,配置在一平面内,位于矩形的外框中,包含:
磁极性与该平面垂直的外部极,该外部极环绕相反磁极性的内部极, 且该内、外部极之间具有间隙,其中该内、外部极是由极性相反的磁铁形 成,并且该内、外部极的排列是使得该间隙形成一密闭回路,该密闭回路 在该平面内绕着一点而形成两个以上的缠绕;
铁磁背板;以及
多个非磁性的固定件,固定在该背板上以容纳多个磁铁,其中该非磁 性的固定件包括多个平直固定件以及多个角落固定件,所述平直固定件是 沿着垂直方向延伸,所述角落固定件具有多个弯曲部分以连接所述平直固 定件中的垂直者。
2.如权利要求1所述的磁控管,其中该密闭回路形成四个以上的螺旋 缠绕。
3.如权利要求1所述的磁控管,其中所述密闭回路提供四个以上的轨 道,并且从所述磁控管的中央处向外辐射的任一线越过所述轨道。
4.如权利要求1所述的磁控管,其中该回路被折迭以形成折迭回路, 且其中该折迭回路是以一个以上的缠绕而绕着该点缠绕。
5.如权利要求1至4中任一项所述的磁控管,其中位于该磁控管的中 央部分的磁铁的磁性是比位于该磁控管的外围部分的磁铁的磁性强。
6.如权利要求1至4中任一项所述的磁控管,还包含一扫描机构用以 扫描该磁控管,该扫描机构是以在两方向的每一方向上延伸一段距离的模 式进行扫描,该距离至少与该回路内分隔该间隙的平行部分间的距离相同。
7.一种溅射方法,在一溅射反应器内实施,该溅射反应器包括如权利 要求1至4中任一项所述的磁控管。
8.如权利要求7所述的方法,还包含以在二垂直方向上延伸的模式来 扫描该磁控管一段距离,该距离至少与周围等离子轨道间的间隙一样。
9.如权利要求8所述的方法,其中磁控管的所述密闭回路提供四个以 上的轨道,并且从所述磁控管的中央处向外辐射的任一线越过所述轨道。
10.如权利要求1所述的磁控管,其中所述固定件是配置以容纳单排 的多个圆柱形磁铁及双排紧密堆积的多个圆柱形磁铁两种情况。
11.如权利要求1所述的磁控管,其中所述平直固定件及角落固定件 是可拆式地固定在该铁磁背板上的多个孔洞内,且可将多种不同组态形式 的所述角落固定件以可拆式地方式固定在所述孔洞内。
12.如权利要求11所述的磁控管,其中多个成对的角落固定件是配置 以在各自成对的角落固定件间固持一或二排的圆柱形磁铁,还能固持该一 或两排径向地向内或向外的至少一额外的磁铁。
13.如权利要求12所述的磁控管,其中至少部分角落固定件包括至少 一额外的圆柱形孔,以固定该至少一磁铁。
14.一种溅射方法,在一溅射反应器内实施,该溅射反应器包括如权 利要求10至12中任一项所述的磁控管。
15.如权利要求14所述的方法,还包含以在二垂直方向上延伸的模式 来扫描该磁控管一段距离,该距离至少与周围等离子轨道间的间隙一样。
16.如权利要求1所述的磁控管,还包含:
第一铁磁夹铁,固定至该背板的中央区域上,其中多个相反磁极性的 磁铁连接于该第一铁磁夹铁上。
17.如权利要求16所述的磁控管,其中用以固持住所述磁铁的非磁性 的固定件同时固定至该第一夹铁及该夹铁外的该背板的多个部分上。
18.如权利要求16所述的磁控管,其中该中央区域的面积为该磁控管 面积的10%至40%间。
19.如权利要求16所述的磁控管,还包含厚度较该第一夹铁薄的第二 夹铁,该第二夹铁是环绕配置在该第一夹铁的至少一部分周边上。
20.如权利要求16所述的磁控管,其中所述磁铁为圆柱形。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的