[发明专利]不触及金属层的接触熔断器

权利要求书

1.一种包括半导体器件熔断器的集成电路的制造方法，包括：

在衬底上方形成在同一层中间隔开的第一和第二半导体区域；

在所述衬底上方沉积熔断器层，其中所述熔断器层的一部分在所述 第一和第二半导体区域上并且在二者之间延伸，且所述熔断器层在所述 第二半导体区域上的所述部分与所述第二半导体区域形成烧断接合界 面；以及

在所述第一半导体区域上方沉积金属层，其中所述金属层通过所述 第一半导体区域电耦合所述熔断器层，且所述金属层与所述熔断器层分 离；

其中所述烧断接合界面被配置成当预定义功率从所述第二半导 体区域传输到所述熔断器层时形成断路。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述熔断器层包括在所述 第一和第二半导体区域上方沉积绝缘层，在所述绝缘层内形成孔，并且 用金属填充该孔。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在沉积所述金属层之 前，形成到所述第一半导体区域的金属接触，且其中沉积所述金属层进 一步包括在所述金属接触上沉积所述金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述金属接触包括在所述 第一半导体区域上方沉积绝缘层，在所述绝缘层内形成孔，并且用金属 填充该孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述金属层包括在所述第 一半导体区域上方沉积绝缘层，在所述绝缘层内形成孔，在所述孔内沉 积阻挡层，以及在所述阻挡层上沉积金属。

6.一种包括半导体器件熔断器的集成电路，所述半导体器件熔断器 包括：

第一半导体区域；

第二半导体区域，所述第二半导体区域被形成为与所述第一半导体 区域在同一层中间隔开；

熔断器层，所述熔断器层被形成为部分在所述第一和第二半导体区 域上并且在二者之间延伸；以及

金属层，其与所述熔断器层间隔开；

其中所述第一半导体区域电耦合所述金属层到所述熔断器层，并且 所述第二半导体区域与所述熔断器层形成烧断接合界面，

其中所述熔断器层在所述第二半导体区域上的所述部分形成烧断接 合界面，所述烧断接合界面被配置成当预定义功率通过所述第二半导体 区域传输到所述熔断器层时形成断路。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述烧断接合界面的面积 小于所述第一半导体区域和所述熔断器层之间界面的面积。

8.根据权利要求6所述的集成电路，进一步包括第二金属层，该第 二金属层通过所述第二半导体区域电耦合所述熔断器层。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述金属层和所述第二金 属层被配置成与两个微电子器件互连。

10.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述半导体器件熔断器 被配置成被编程以由此与微电子器件互连并形成操作器件。