[发明专利]薄膜电容器的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

包括如下工序：在基板上形成下部电极的下部电极形成工序；将含有Ba类有机电介质原料、Sr类有机电介质原料以及Ti类有机电介质原料的原料液涂布于所述下部电极的表面的原料涂布工序；对涂布于所述下部电极的表面的所述原料液中所含有的所述有机电介质原料进行烧成，而形成钛酸钡锶薄膜的金属氧化物薄膜形成工序；在所述钛酸钡锶薄膜的表面上形成上部电极的上部电极形成工序；

其中，所述钛酸钡锶薄膜具有由组成式：

(Ba_1-xSr_x)_yTiO₃

所表示的组成，其中，0＜x＜1；y≤1，且

使在所述金属氧化物薄膜形成工序中的所述钛酸钡锶薄膜的烧成氛围为含氧不活泼气体氛围，形成钛酸钡锶薄膜，该钛酸钡锶薄膜具有比使烧成氛围为氧氛围而形成的钛酸钡锶薄膜的容量密度更大的容量密度。

2.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

在所述含氧不活泼气体氛围中形成的钛酸钡锶薄膜，在室温且在电场强度100kV/cm的条件下的泄漏电流密度为10^-7A/cm²以下。

3.如权利要求1或2的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

在所述含氧不活泼气体氛围中形成的钛酸钡锶薄膜的容量密度，比在氧氛围中形成的钛酸钡锶薄膜的容量密度大20％以上。

4.如权利要求1、2或3所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

在所述金属氧化物薄膜形成工序中，烧成温度为600℃以上1000℃以下。

5.如权利要求1、2、3或4所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

在所述金属氧化物薄膜形成工序中，所述含氧不活泼气体的含氧率为20％以下。

6.如权利要求1、2、3、4或5所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

y为0.85以上。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

所述原料液含有Mn类有机电介质原料，作为副成分所述钛酸钡锶薄膜含有Mn元素。