[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：

-用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，

-有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体，以及

-用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)

2.根据上述权利要求所述的光电子半导体芯片，其中有源区基于III-V-半导体材料系In_yGa_1-x-yAl_xN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中在p掺杂的阻挡层(1)和有源区(2)之间设置有扩散势垒(4)，该扩散势垒适于防止掺杂材料扩散进有源区(2)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中朝着生长方向(c)看，在p掺杂的阻挡层(1)之前设置有隧道接触(5)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中隧道接触(5)具有高n掺杂的区域(5a)、高p掺杂的区域(5b)和在隧道接触(5)的这两个区域(5a，5b)之间扩散势垒(14)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中朝着生长方向(c)看，在隧道接触(5)之前设置有n型区域(6)。

7.根据权利要求1或者2所述的光电子半导体芯片，其中半导体芯片的区域沉积到p型生长衬底上。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中有源区(2)包括量子阱结构(8，9)。

9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中有源区(2)包括正好一个为产生辐射而设置的单量子阱结构(8)。

10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(2)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)具有比为产生辐射而设置的量子阱结构更小的铟浓度。

12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中在p掺杂的阻挡层(1)与有源区(2)之间设置有扩散势垒(4)，该扩散势垒包含III-V-半导体材料系Al_xGa_1-xN构成的材料，其中x≥0.2。

13.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中有源区(2)基于III-V-半导体材料系In_yGa_1-yN，其中0＜y≤1。

14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，具有生长衬底(7)，该生长衬底(7)具有偏差取向。

15.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中生长衬底(7)的偏差取向为0.1°到1.0°之间。

16.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中生长衬底(7)被薄化。

17.根据权利要求2至16中任一项所述的光电子半导体芯片，其中半导体芯片以Ga面生长模式来生长。

18.一种光电子器件，其带有根据上述权利要求中至少一项所述的光电子半导体芯片，具有端子(183，184)，光电子半导体芯片(20)可通过这些端子被电接触。

19.一种用于制造根据上述权利要求中至少一项所述的光电子半导体芯片的方法，

其中以下区域以所述顺序沉积到晶片上：

a)用于半导体芯片的有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，

b)有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体，以及

c)用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)。