[发明专利]具有管芯上电源选通电路的集成电路

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

多个管芯连接元件；

电连接到所述管芯连接元件的一部分的电源选通电路，其中所述管芯连接元件中的至少一个不在所述电源选通电路之上；以及

电连接到所述电源选通电路的功能电路，其中通过所述电源选通电路将所述管芯连接元件的所述部分可切换地互连到所述功能电路来控制提供给所述功能电路的功率。

2.根据权利要求1所述的管芯，其中所述电源选通电路包括一个或多个MOSFET。

3.根据权利要求1所述的管芯，其中所述管芯连接元件为C4突起。

4.根据权利要求1所述的管芯，其中所述功能电路包括微处理器。

5.根据权利要求1所述的管芯，其中所述功能电路包括至少一个高速缓冲存储器阵列。

6.根据权利要求5所述的管芯，其中所述管芯连接元件的所述部分中的至少一个位于所述高速缓冲存储器阵列之上。

7.根据权利要求1所述的管芯，还包括电连接到所述电源选通电路的功率管理电路，其中所述功率管理电路提供用于操作所述电源选通电路的选通信号。

8.根据权利要求7所述的管芯，其中所述功率管理电路还电连接到所述功能电路。

9.根据权利要求1所述的管芯，其中

所述电源选通电路包括多个电源选通电路；并且

所述功能电路包括相应的多个功能电路，其中通过所述多个电源选通电路中的相应一个独立地控制提供给所述多个功能电路中的每一个的功率。

10.根据权利要求9所述的管芯，其中所述多个功能电路的至少一个子集为微处理器。

11.根据权利要求10所述的管芯，其中选通至不工作的微处理器的功率。

12.根据权利要求1所述的管芯，还包括用于将所述电源选通电路电连接到所述管芯连接元件的所述部分以及电连接到所述功能电路的金属层。

13.根据权利要求12所述的管芯，其中在所述电源选通电路之上使所述金属层相互交叉。

14.一种装置，包括：

基板；

电源输入；

在所述基板上或其中的导电区，所述导电区电连接到所述电源输入；以及

耦合到所述基板的半导体管芯，所述管芯包括：

功能电路；以及

电连接到所述导电区和所述功能电路的电源选通电路，用于可切换地向所述功能电路提供功率，其中所述电源选通电路经由管芯连接元件电连接到所述导电区，并且其中所述管芯连接元件的至少一部分不在所述电源选通电路之上。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述电源选通电路包括一个或多个MOSFET。

16.根据权利要求14所述的装置，其中所述管芯连接元件为C4突起。

17.根据权利要求14所述的装置，其中所述功能电路包括微处理器。

18.根据权利要求14所述的装置，其中所述功能电路包括至少一个高速缓冲存储器阵列，并且所述管芯连接元件的所述至少一部分位于所述高速缓冲存储器阵列之上。

19.根据权利要求14所述的装置，其中所述导电区包括

未选通的导电区，用于将所述电源输入电连接到所述电源选通电路；以及

选通导电区，用于将所述电源选通电路电连接到所述功能电路。

20.根据权利要求19所述的装置，其中所述功能电路经由所述功能电路之上的管芯连接元件电连接到所述选通导电区。

21.根据权利要求19所述的装置，其中所述未选通的导电区和所述选通导电区相互交叉。

22.根据权利要求19所述的装置，其中所述未选通的导电区和所述选通导电区包括用于耦合到所述半导体管芯的焊盘簇。

23.根据权利要求19所述的装置，其中所述半导体管芯还包括金属层，所述金属层用于将所述电源选通电路电连接到与所述未选通的导电区和所述选通导电区相关的管芯连接元件。