[发明专利]微电子装置中的钴化学镀

权利要求书

1. 一种在微电子装置制造中在基材上化学沉积Co或Co合金的方法，该方法包括：

将基材与一种化学沉积组合物接触，该化学沉积组合物包括一种肟基化合物稳定剂和一种Co离子源。

2. 如权利要求1所述的方法，其中该化学沉积组合物的pH值为约7.5至约10。

3. 如权利要求1或2所述的方法，其中该肟基化合物稳定剂为醛肟。

4. 如权利要求1或2所述的方法，其中该肟基化合物为选自水杨醛肟，顺-2-吡啶醛肟，及其组合物组成的组。

5. 如权利要求1或2所述的方法，其中该肟基化合物稳定剂为酮肟。

6. 如权利要求1或2所述的方法，其中该肟基化合物为选自二甲基乙二醛肟，1，2-环己烷二酮二肟，及其组合物组成的组。

7. 如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中化学沉积组合物中该肟基化合物稳定剂的浓度为约2ppm至约150ppm。

8. 如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中化学沉积组合物中该肟基化合物稳定剂的浓度为约5ppm至约50ppm。

9. 如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中化学沉积组合物中该肟基化合物稳定剂的浓度为约5ppm至约20ppm。

10. 如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中化学沉积组合物还包括一种还原剂。

11. 一种在微电子装置制造中将一种金属盖层镀覆到金属填充的互连上的化学镀溶液，该溶液包括：

一种Co离子源；

一种还原剂；及

一种肟基化合物稳定剂。

12. 如权利要求11所述的化学镀溶液，其中该溶液的pH值为约7.5至约10。

13. 如权利要求11或12所述的化学镀溶液，其中该肟基化合物稳定剂为醛肟。

14. 如权利要求11或12所述的化学镀溶液，其中该肟基化合物为选自水杨醛肟，顺-2-吡啶醛肟，及其组合物组成的组。

15. 如权利要求11所述的化学镀溶液，其中该肟基化合物稳定剂为酮肟。

16. 如权利要求11或12所述的化学镀溶液，其中该肟基化合物为选自二甲基乙二醛肟，1，2-环己烷二酮二肟，及其组合物组成的组。

17. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中化学沉积组合物中该肟基化合物稳定剂的浓度为约2ppm至约150ppm。

18. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中该肟基化合物稳定剂的浓度为约5ppm至约50ppm。

19. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中化学沉积组合物中该肟基化合物稳定剂的浓度为约5ppm至约20ppm。

20. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中存在的Co离子源的使得Co离子的浓度为约1克/升至约20克/升。

21. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中存在的该Co离子源使得Co离子的浓度为约0.1克/升至约1.0克/升。

22. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中该还原剂为次磷酸盐源。

23. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其中该还原剂为硼基还原剂。

24. 如权利要求11-16中任一项所述的化学镀溶液，其进一步包含：

一种耐热金属离子源；

一种有机络合剂；及

一种表面活性剂。