[发明专利]微机电系统封装和互连有效

专利信息
申请号: 200680027839.8 申请日: 2006-07-07
公开(公告)号: CN101233073A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 陈健华;J·G·班伯;H·康 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: B81C3/00 分类号: B81C3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;张志醒
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 微机 系统 封装 互连
【权利要求书】:

1.一种微机电系统(MEMS)装置,包括:

电晶片;

机械晶片;

将电晶片结合到机械晶片的等离子体处理的氧化物密封;以及

在电晶片和机械晶片之间的电互连。

2.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该电互连包括焊料。

3.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该电晶片包含互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。

4.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该机械晶片包含微移动器。

5.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封包含等离子体处理的SiO2

6.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封提供气密密封。

7.如权利要求1所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封包含等离子体处理的氧化物密封环。

8.一种微机电系统(MEMS)装置,包括:

在第一封装中的第一芯片;

在第二封装中的第二芯片;

将第一封装结合到第二封装的等离子体处理的氧化物密封;以及

在第一芯片和第二芯片之间的电互连。

9.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该电互连将第一芯片的面结合到第二芯片的面。

10.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该电互连将第一芯片的面结合到第二芯片的背面。

11.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该电互连包含焊料。

12.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封包含等离子体处理的SiO2

13.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封提供气密密封。

14.如权利要求8所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封包含等离子体处理的氧化物密封环。

15.一种微机电系统(MEMS)装置,包括:

电管芯;

机械管芯;

将该电管芯结合到该机械管芯的等离子体处理的氧化物密封环;以及

在该电管芯和机械管芯之间的电互连。

16.如权利要求15所述的MEMS装置,其中该电互连包括焊料。

17.如权利要求15所述的MEMS装置,其中该电管芯包含互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。

18.如权利要求15所述的MEMS装置,其中该机械管芯包含微移动器。

19.如权利要求15所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封环包含等离子体处理的SiO2

20.如权利要求15所述的MEMS装置,其中该等离子体处理的氧化物密封环提供气密密封。

21.一种电互连晶片的方法,该方法包括:

提供具有用于电互连的焊料球的第一晶片;

提供具有用于该电互连的接触的第二晶片;

在室温下利用等离子体处理的氧化物密封将该第一晶片结合到该第二晶片以对准用于该电互连的焊料球和接触;以及

回流焊料以形成该电互连。

22.如权利要求21所述的方法,进一步包括:

在第一晶片和第二晶片之间设置间隙。

23.如权利要求21所述的方法,其中提供第一晶片包括提供机械晶片,并且提供第二晶片包括提供电晶片。

24.一种封装微机电系统的方法,该方法包括:

在第一晶片上沉积第一氧化物密封材料;

图案化第一氧化物密封材料以形成第一氧化物密封环;

等离子体处理第一氧化物密封环;

将等离子体处理的第一氧化物密封环与第二晶片接触以将第一晶片结合到第二晶片;以及

退火第一晶片和第二晶片来回流焊料,以在第一晶片和第二晶片之间形成电互连。

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