[发明专利]金属-陶瓷复合基板及其制造方法有效
申请号: | 200680027882.4 | 申请日: | 2006-05-24 |
公开(公告)号: | CN101233612A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 大鹿嘉和 | 申请(专利权)人: | 同和电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/36;H01S5/022 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 陶瓷 复合 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属-陶瓷复合基板,由金属基板、形成在该金属基板上的陶瓷层、形成在该陶瓷层上的电极层、和形成在该电极层上的钎焊层构成,其特征在于,
所述陶瓷层由陶瓷薄膜构成。
2.如权利要求1所述的金属-陶瓷复合基板,其特征在于,还在所述陶瓷层上直接形成有钎焊层。
3.如权利要求1所述的金属-陶瓷复合基板,其特征在于,在所述陶瓷层与所述电极层之间插入有陶瓷层保护膜。
4.如权利要求1所述的金属-陶瓷复合基板,其特征在于,所述金属基板由铜或铝构成。
5.如权利要求1~3中任一项所述的金属-陶瓷复合基板,其特征在于,所述陶瓷层由氮化物类陶瓷构成。
6.如权利要求5所述的金属-陶瓷复合基板,其特征在于,所述氮化物类陶瓷是氮化铝。
7.一种金属-陶瓷复合基板的制造方法,其是由金属基板、形成在该金属基板上的陶瓷层、形成在该陶瓷层上的电极层、和形成在该电极层上的钎焊层构成的金属-陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,包括:
在所述金属基板的表面上形成陶瓷薄膜作为所述陶瓷层的工序;
在所述陶瓷层上形成规定的图案的所述电极层的工序。
8.如权利要求7所述的金属-陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,还包括在所述陶瓷层上直接形成钎焊层的工序。
9.如权利要求8所述的金属-陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,包括在所述陶瓷层的形成后再形成陶瓷层保护膜的工序。
10.如权利要求7~9中任一项所述的金属-陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,所述陶瓷层由氮化物类陶瓷构成。
11.如权利要求10所述的金属-陶瓷复合基板的制造方法,其特征在于,所述氮化物类陶瓷是氮化铝。
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