[发明专利]膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法

权利要求书

1.一种在衬底上生长第III族氮化物的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和

使引入所述放电空间的氮和含有第III族金属的金属化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。

2.一种在衬底上生长氮化镓的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和

使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。

3.一种在c-面或a-面蓝宝石衬底上外延生长氮化镓的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和

使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10000至100000范围内。

4.一种在含铝衬底上生长氮化铝镓的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和

使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述含铝衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。

5.根据权利要求4所述的膜沉积方法，其中所述含铝衬底是蓝宝石衬底。

6.权利要求2～5之一所述的膜沉积方法，其中所述含镓化合物选自由三甲基镓、三乙基镓、奎宁环镓烷和1-甲基吡咯烷镓烷组成的组。

7.根据权利要求1～6之一所述的膜沉积方法，其特征在于所述方法还包括使所述衬底的温度处于500摄氏度至700摄氏度的范围内。

8.根据权利要求2、4或5所述的膜沉积方法，其中所述含镓化合物是三甲基镓，并且该方法还包括使所述衬底的温度处于300摄氏度至700摄氏度范围内的步骤。

9.根据权利要求3～5之一所述的膜沉积方法，其中所述含镓化合物是三甲基镓，并且该方法还包括使所述衬底的温度处于400摄氏度至700摄氏度范围内的步骤。

10.根据权利要求2、4或5所述的膜沉积方法，其中所述含镓化合物是三乙基镓、奎宁环镓烷或1-甲基吡咯烷镓烷，并且该方法还包括使所述衬底的温度处于200摄氏度至700摄氏度范围内的步骤。

11.根据权利要求3～5之一所述的膜沉积方法，其中所述含镓化合物是三乙基镓、奎宁环镓烷或1-甲基吡咯烷镓烷，并且该方法还包括使所述衬底的温度处于300摄氏度至700摄氏度范围内的步骤。

12.根据权利要求1～11之一所述的膜沉积方法，其中所述常压在40kPa至100kPa的范围内。