[发明专利]二维四极离子阱

权利要求书

1.一种线性离子阱，用于俘获并随后发射离子，包括：

限定内阱体的多根杆，该内阱体具有纵向延伸的轴，一根或多根杆包括径向延伸通过杆的孔，该孔配置为使得离子能够从内阱体通过该孔到达内阱体外部的区域；以及

在一根或多个杆中形成且在孔附近设置的至少一个槽，其沿着杆纵向延伸，朝内阱体开口，所述槽不在径向上延伸通过杆。

2.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该多根杆为多极杆，使其成形为在内阱体内提供实质四极电压。

3.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该槽直接连至孔。

4.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该至少一个槽为至少两个槽。

5.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该槽具有轴向延伸进入杆的深度，该深度大于该槽的宽度。

6.根据权利要求5的线性离子阱，其中：

该槽的深度至少为槽宽度的三倍。

7.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该孔以从内阱体至内阱体外部的区域的方向向外开口。

8.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该槽以从杆内向内阱体的方向向外开口。

9.根据权利要求1的线性离子阱，其中：

该孔为具有两端的长缝。

10.根据权利要求9的线性离子阱，其中：

该槽纵向延伸超过该缝的一端。

11.根据权利要求9的线性离子阱，其中：

该槽位于该缝两端的其中一端。

12.根据权利要求9的线性离子阱，其中：

该至少一个槽包括两个槽，该长缝的每端设置一个槽。

13.根据权利要求9的线性离子阱，其中：

长缝具有一个宽度，且槽的宽度实质上与该长缝的宽度相同。