[发明专利]光刻设备、确定其至少一个偏振属性的方法、检偏器和偏振传感器有效

专利信息
申请号: 200680028086.2 申请日: 2006-06-13
公开(公告)号: CN101233454A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 马库斯·艾德里纳斯·范德柯克霍夫;威廉姆斯·皮卓斯·德波艾;亨瑞克斯·罗伯特斯·玛丽·范格瑞文波奥克;迈克·弗兰索斯·休伯特·克拉森;海考·维克特·考克;马提基恩·杰勒德·多米尼克·维瑞恩斯;坦摩·尤特迪基克;威廉姆斯·贾克布斯·玛丽安·罗奥杰卡斯;约翰内斯·玛丽安·库普;利昂·范道仁;雅各布·桑尼威尔德;欧文·约翰内斯·马丁内斯·吉林 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 确定 至少 一个 偏振 属性 方法 检偏器 传感器
【权利要求书】:

1.一种光刻设备,包括:

照射系统,被配置用于调节辐射束;

支撑结构,被构建用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案赋予辐射束的横截面上,以形成图案化的辐射束;

衬底台,被构建用于保持衬底;

投影系统,被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;

检测器,用于测量辐射通过投影系统之后的辐射强度;

可调整的偏振改变元件;以及

检偏器,

其中所述偏振改变元件和检偏器按顺序设置在辐射束路径中且在这样的水平面:即图案形成装置将被支撑结构支撑在所述水平面。

2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述偏振改变元件通过是可旋转的和/或可交换的而可调整。

3.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中所述偏振改变元件是四分之一波片。

4.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中所述检偏器是线偏振器。

5.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中所述检偏器是偏振分束器,所述偏振分束器被设置用于输出两个正交的线偏振辐射分量,所述两个正交的线偏振辐射分量在空间上彼此分隔开。

6.根据权利要求5所述的光刻设备,其中所述检偏器主要由磷酸二氢钾构成。

7.一种光刻设备,包括:

照射系统,被配置用于调节辐射束;

支撑结构,被构建用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案赋予所述辐射束的横截面上,以形成图案化的辐射束;

衬底台,被构建用于保持衬底;

投影系统,被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;

干涉仪传感器,用于测量在衬底的水平面的辐射束的波前,所述干涉仪传感器具有检测器并与在图案形成装置的水平面的源模块结合操作,以调节溢出投影系统的光瞳的辐射;以及

可调整的偏振器,用于在投影系统之前对所述辐射进行偏振化。

8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述偏振器是线偏振器,且通过可旋转和可交换方式中的至少一种方式可调整,从而对在两个不同方向上的辐射顺序进行偏振化。

9.根据前面权利要求中任一项所述的光刻设备,还包括用于通过检测器获取测量结果的控制器,所述控制器控制可调整的元件,并计算所述设备的至少一个偏振属性。

10.根据权利要求9中所述的光刻设备,其中所述控制器还响应所述设备的至少一个计算出的偏振属性控制所述设备的一个或更多个元件。

11.一种用于确定光刻设备的至少一种偏振属性的方法,所述方法包括:

采用检测器对于光刻设备的偏振改变元件的多个不同的设定进行光强测量;以及

根据光强测量,确定在辐射遇到偏振改变元件之前的辐射的偏振状态的信息。

12.一种用于确定光刻设备的至少一种偏振属性的方法,所述方法包括:

对于可调整的偏振器的至少两个不同的设定,采用光刻设备的干涉仪传感器测量所述设备的衬底水平面的辐射束的各个波前,所述可调整的偏振器位于光刻设备中,在其投影系统之前;以及

根据波前测量,确定影响投影系统的属性的偏振的信息。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述影响投影系统的属性的偏振的信息被表达为琼斯矩阵的至少一个元素。

14.根据权利要求12或13所述的方法,其中所述干涉仪传感器包括光栅,所述光栅被设置用于在切变方向上相互位移的至少两个波前之间提供切变干涉测量。

15.根据权利要求14所述的方法,其中可调整的偏振器的至少两个不同的设定包括沿着切变方向的线偏振和垂直于切变方向的线偏振。

16.根据权利要求14或15所述的方法,其中所述方法还包括测量在光刻设备的投影系统的光瞳中的强度振荡幅度的空间分布,以及对于可调整的偏振器的至少两个不同的设定中的每个设定的平均强度。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述方法还包括对于可调整的偏振器的至少两个不同的设定中的每个设定,测量光刻设备的投影系统的光瞳中的强度振荡相位的空间分布。

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