[发明专利]改性蒙脱石及其制备方法和其应用有效
申请号: | 200680028247.8 | 申请日: | 2006-11-06 |
公开(公告)号: | CN101272986A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 吕光烈;郑海辉;胡秀荣;夏志国;陈绩馨 | 申请(专利权)人: | 浙江海力生制药有限公司 |
主分类号: | C01B33/40 | 分类号: | C01B33/40;B01J20/12;A61K33/00;C09C1/42;C09C3/08;A61K8/19 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 316100中国浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改性 蒙脱石 及其 制备 方法 应用 | ||
1、一种对消化道疾患具有治疗作用的改性蒙脱石,其特征在于:不破坏天然蒙脱石的二八面体层结构和不改变其基本化学组成,而通过改变二八面体堆叠层的微观结构,使其堆叠层变薄,暴露和增加其可变电荷和层间电荷,且具有更低的C轴有序度。
2、权利要求1所述的改性蒙脱石,所述的C轴有序度是指蒙脱石的X衍射图中d值为12-的001衍射峰计算出来的晶粒尺寸或相干畴尺寸。
3、根据权利要求2所述的改性蒙脱石,所述的晶粒尺寸2-10个二八面体堆叠层组成,厚度为2-15nm,或2-9个二八面体堆叠层组成,厚度为2-13.5nm,或由2-8个二八面体堆叠层组成,厚度为2-12nm;或由2-7个二八面体堆叠层组成,厚度为2-10.5nm,或由2-6个二八面体堆叠层组成,厚度为2-9nm,或2-5个二八面体堆叠层组成,厚度为2-7.5nm,或由2-4个二八面体堆叠层组成,厚度为2-6nm;或由2-3个二八面体堆叠层组成,厚度为2-4.5nm;或由3-10个二八面体堆叠层组成,厚度为3-15nm,或3-9个二八面体堆叠层组成,厚度为3-13.5nm,或由3-8个二八面体堆叠层组成,厚度为3-12nm;或由3-7个二八面体堆叠层组成,厚度为3-10.5nm,或由3-6个二八面体堆叠层组成,厚度为3-9nm,或3-5个二八面体堆叠层组成,厚度为3-7.5nm,或由3-4个二八面体堆叠层组成,厚度为3-6nm;或由4-10个二八面体堆叠层组成,厚度为4-15nm,或由4-9个二八面体堆叠层组成,厚度为4-1 3.5nm,或由4-8个二八面体堆叠层组成,厚度为4-12nm,或由4-7个二八面体堆叠层组成,厚度为4-10.5nm,或由4-6个二八面体堆叠层组成,厚度为4-9nm,或由4-5个二八面体堆叠层组成,厚度为4-7.5nm;或由5-10个二八面体堆叠层组成,厚度为5-15nm,或由5-9个二八面体堆叠层组成,厚度为5-13.5nm,或由5-8个二八面体堆叠层组成,厚度为5-12nm,或由5-7个二八面体堆叠层组成,厚度为5-10.5nm,或由5-6个二八面体堆叠层组成,厚度为5-9nm;或由6-10个二八面体堆叠层组成,厚度为6-15nm,或由6-9个二八面体堆叠层组成,厚度为6-13.5nm,或由6-8个二八面体堆叠层组成,厚度为6-12nm,或由6-7个二八面体堆叠层组成,厚度为6-10.5nm;或由7-10个二八面体堆叠层组成,厚度为7-15nm,或由7-9个二八面体堆叠层组成,厚度为7-13.5nm,或由7-8个二八面体堆叠层组成,厚度为7-12nm;或由8-10个二八面体堆叠层组成,厚度为8-15nm,或由8-9个二八面体堆叠层组成,厚度为8-13.5nm;或由9-10个二八面体堆叠层组成,厚度为9-15nm。
4、根据权利要求1所述的改性蒙脱石,所述的层间电荷不低于0.31eq/[(Si,Al)4O10],优选不低于0.34eq/[(Si,Al)4O10],更优选不低于0.40eq/[(Si,Al)4O10],最优选不低于0.43eq/[(Si,Al)4O10]。
5、根据权利要求1所述的改性蒙脱石,所述的可变电荷不低于0.058eq/[(Si,Al)4O10],优选不低于0.08eq/[(Si,Al)4O10],更优选不低于0.10eq/[(Si,Al)4O10],最优选不低于0.12eq/[(Si,Al)4O10]。
6、根据权利要求1所述的改性蒙脱石,所述的改性蒙脱石具有“超结构”。
7、根据权利要求6所述的改性蒙脱石,所述“超结构”是指改性蒙脱石在其X射线衍射谱的低角度区域出现由多个结构层构成的周期性单元衍射峰。
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