[发明专利]导电聚合物的潜在掺杂

权利要求书

1.一种潜在掺杂组合物，其包括：

至少一种聚合物骨架中具有共轭的聚合物，

至少一种用于聚合物的掺杂剂，

至少一种用于聚合物和掺杂剂的溶剂，

其中对所述聚合物、掺杂剂和溶剂进行配制，使配制时所述掺杂剂基 本上不与所述聚合物掺杂，但当溶剂去除后该掺杂剂与聚合物基本上发生 反应。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括聚噻吩。

3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括立体规则性的 聚噻吩。

4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括立体规则性的 聚噻吩均聚物或立体规则性的聚噻吩共聚物，且立体规则度为至少90％。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括立体规则性的 聚噻吩嵌段共聚物。

6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括3位被含有杂 原子的基团取代的立体规则性的聚噻吩。

7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述掺杂剂为有机掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的组合物，其中所述掺杂剂为氧化性的掺杂 剂。

9.根据权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂为有机溶剂。

10.根据权利要求1所述的组合物，其中所述溶剂为极性溶剂。

11.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物的量为约 0.01wt.％～约20wt.％，掺杂剂的量为约0.01wt.％～约6wt.％，溶剂的量为约 80wt.％～约99.9wt.％。

12.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物的量为约 0.01wt.％～约6wt.％，掺杂剂的量为约0.01wt.％～约6wt.％，溶剂的量为约 94wt.％～约99.9wt.％。

13.根据权利要求1所述的组合物，其中所述掺杂剂配制后在25℃下 贮存至少10分钟基本上不与聚合物掺杂。

14.根据权利要求1所述的组合物，其中所述掺杂剂配制后在50℃下 贮存30天基本上不与聚合物掺杂。

15.根据权利要求1所述的组合物，其中溶液状态下的所述组合物在 其UV-VIS波谱的可见光范围内显示出大的中性峰。

16.根据权利要求1所述的组合物，其中溶液状态下的所述组合物在 其UV-VIS波谱的可见光范围内显示出大的中性峰，而在溶剂去除后该可 见光范围内的所述大的中性峰基本上消失。

17.根据权利要求1所述的组合物，其中所述聚合物包括立体规则性 的聚噻吩，所述掺杂剂为有机掺杂剂，所述溶剂为极性溶剂，聚合物的量 为约0.01wt.％～约20wt.％，掺杂剂的量为约0.01wt.％～约6wt.％，溶剂的 量为约80wt.％～约99.9wt.％。

18.一种组合物，其包括：

至少一种聚合物骨架中具有共轭的聚合物，其中该聚合物包括立体规 则性的聚噻吩；

至少一种用于聚合物的有机掺杂剂，

至少一种用于聚合物和掺杂剂的极性溶剂，

其中对所述聚合物、掺杂剂和溶剂进行配制，使所述掺杂剂配制后在 25℃下贮存至少10分钟基本上不与聚合物掺杂，但当溶剂去除后所述掺 杂剂与聚合物基本上发生反应；且

其中聚合物的量为约0.01wt.％～约20wt.％，掺杂剂的量为约0.01wt.％～ 约6wt.％，溶剂的量为约80wt.％～约99.9wt.％。