[发明专利]使用NF3除去表面沉积物的方法

权利要求书

1.一种除去表面沉积物的方法，所述方法包括：

(a)在远程腔内用足够强的功率对含有氧源和NF₃的气体混合物活化足够长的时间，使得所述气体混合物达到至少为约3,000K的中性温度，以形成活化的气体混合物，以及，然后

(b)使所述活化的气体混合物与表面沉积物接触而除去至少一些所述表面沉积物。

2.权利要求1的方法，其中，所述表面沉积物从用于制造电子设备的加工腔内部除去。

3.权利要求1的方法，其中，所述氧源是氧气或氮氧化物。

4.权利要求3的方法，其中，所述氧源是氧气。

5.权利要求1的方法，其中，表面沉积物选自由硅、掺杂的硅、氮化硅、钨、二氧化硅、氮氧化硅、碳化硅和各种被称之为低K材料的硅氧化合物组成的组。

6.权利要求5的方法，其中，表面沉积物是氮化硅。

7.权利要求1的方法，其中，所述功率是由RF源、DC源或微波源产生。

8.权利要求7的方法，其中，所述功率是由RF源产生。

9.权利要求8的方法，其中，远程腔中所述活化的气体混合物形成环型构造，且所述RF功率为频率低于1000KHz的变压器耦合的感应耦合的RF源。

10.权利要求9的方法，其中，采用至少一个磁芯来增强所述感应耦合。

11.权利要求1的方法，其中，远程腔中的压力在0.1托到20托之间。

12.权利要求1的方法，其中，所述气体混合物进一步含有载气。

13.权利要求12的方法，其中，所述载气是至少一种选自由氮、氩和氦组成组中的气体。

14.权利要求13的方法，其中，所述载气是氩、氦或它们的混合物。