[发明专利]使用氟化硫从CVD/PECVD腔的内部除去表面沉积物的远程腔方法无效
| 申请号： | 200680028543.8 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101238238A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | B·白;H·H·萨温 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/452;C23C16/455;B08B7/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;范赤 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 氟化 cvd pecvd 内部 除去 表面 沉积物 远程 方法 | ||
1.一种除去表面沉积物的方法，所述方法包括：
(a)在远程腔内对含有氧源、氟化硫和氮源的气体混合物进行活化并形成活化的气体混合物，以及，然后
(b)使所述活化的气体混合物接触表面沉积物而除去至少一些所述表面沉积物。
2.权利要求1的方法，其中，所述表面沉积物从用于制造电子设备的加工腔内部除去。
3.权利要求1的方法，其中，所述氧源是氧气或氮氧化物。
4.权利要求3的方法，其中，所述氧源是氧气。
5.权利要求4的方法，其中，所述氧气和所述氟化硫的摩尔比率小于5∶1。
6.权利要求1的方法，其中，所述氮源是氮气、NF3或氮氧化物。
7.权利要求6的方法，其中，所述氮源是氮气。
8.权利要求1的方法，其中，所述表面沉积物选自由硅、掺杂的硅、氮化硅、钨、二氧化硅、氮氧化硅、碳化硅和各种被称之为低K材料的硅氧化合物组成的组。
9.权利要求8的方法，其中，所述表面沉积物是氮化硅。
10.权利要求1的方法，其中，所述气体混合物通过使用足够强度功率活化足够长的时间而使所述气体混合物达到至少为约3000K的中性温度。
11.权利要求10的方法，其中，所述功率由RF源、DC源或微波源产生。
12.权利要求11的方法，其中，所述功率由RF源产生。
13.权利要求12的方法，其中，所述RF源为频率低于1000KHz的变压器耦合的感应耦合的RF源。
14.权利要求10的方法，其中，远程腔中的压力在0.1托到20托之间。
15.权利要求1的方法，其中，所述气体混合物进一步含有载气。
16.权利要求15的方法，其中，所述载气是至少一种选自由氩和氦组成组中的气体。
17.权利要求1的方法，其中，所述氟化硫是SF6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于麻省理工学院，未经麻省理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680028543.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：承载转盘控向式代步车辆
- 下一篇：治疗糖尿病肾病的药物组合物
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
