[发明专利]悬臂式探针以及制造该悬臂式探针的方法

权利要求书

1.一种制造探针的方法，包括：

在基底上形成带有第一开口的掩模图案，所述第一开口使所述基底的顶面的预定区域露出；

使用所述掩模图案作为蚀刻掩模而蚀刻所述基底，从而在所述第一开口下面形成沟槽；

去除所述掩模图案，从而使所述基底的顶面露出；

在包括所述沟槽的基底上形成带有第二开口的成型图案，所述第二开口使所述沟槽露出；

形成带有尖端和悬臂的探针，所述尖端和所述悬臂分别布置在所述沟槽和所述第二开口中；以及

去除所述成型图案和所述基底，从而将所述探针剥离，

其中所述第一开口是形成在所述第二开口一端的六面体空间，并且所述第一开口的侧壁相对于所述第二开口的长度方向倾斜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一开口的侧壁相对于所述第二开口的长度方向倾斜40°～50°。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底由对所述掩模图案、所述成型图案和导电膜具有蚀刻选择性的材料形成，

并且所述基底由具有晶体结构的材料形成。

4.根据要求1或3所述的方法，其中所述基底由单晶硅形成，

并且所述基底在法向方向上具有<100>晶向。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其中所述掩模图案由选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻胶中的至少一种形成，

并且所述成型图案由选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻胶中的至少一种形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟槽的形成包括使用选自氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵、乙二胺邻苯二酚(EDP)中的一种蚀刻剂来蚀刻所述沟槽，

并且，当从所述沟槽的入口向所述沟槽的底部靠近时，所述沟槽下部的宽度变窄。

7.根据权利要求1所述的方法，其中导电膜的形成通过使用选自电镀、化学气相沉积、溅射中的至少一种方法来完成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述探针的形成包括：

形成导电膜，从而填充所述第二开口和所述沟槽；以及

平整化地蚀刻所述导电膜，从而使所述成型图案露出。

9.一种探针，包括：

悬臂，它的长度大于宽度和高度；以及

尖端，它设置在所述悬臂的一端，从所述悬臂的底面延伸，

其中与所述悬臂底部平行的所述尖端的剖面是四边形，具有四个相对于所述悬臂的长度方向倾斜的侧边。

10.根据权利要求9所述的探针，其中当远离所述悬臂时，所述尖端的端部的剖面变小。

11.根据权利要求9所述的探针，其中与所述悬臂底面平行的所述尖端的四边形剖面的对角线平行于所述悬臂的长度方向。