[发明专利]场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其包括：

衬底，

配置于上述衬底上的源电极以及漏电极，

将上述源电极与漏电极电性连接的沟道，以及

控制在上述沟道中流通的电流的栅电极；

其中，上述沟道包含超细纤维体；

上述栅电极使上述衬底产生由自由电子移动所导致的极化。

2.按照权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述超细纤维体为碳纳米管。

3.按照权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述衬底具有：由半导体或金属构成的支持衬底、形成于上述支持衬底第一面上的第一绝缘膜，以及形成于上述支持衬底第二面上的第二绝缘膜；

上述源电极、漏电极以及沟道配置于上述第一绝缘膜上；

上述栅电极配置于上述第二绝缘膜上。

4.按照权利要求3所述的场效应晶体管，其中，

上述第二绝缘膜的厚度为10nm以上。

5.按照权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

上述衬底具有：由半导体或金属构成的支持衬底、以及形成于上述支持衬底第一面上的第一绝缘膜；

上述源电极、漏电极、沟道以与栅电极配置于上述第一绝缘膜上；

上述栅电极与上述超细纤维体的间隔为10μm以上。

6.按照权利要求5所述的场效应晶体管，其中，

上述栅电极与上述超细纤维体的间隔为100μm以上。

7.按照权利要求1所述的场效应晶体管，其还包括电性连接于上述衬底的第二衬底；

其中，上述衬底具有：由半导体或金属构成的支持衬底、以及形成于上述支持衬底第一面上的第一绝缘膜；

上述源电极、漏电极以及沟道配置于上述第一绝缘膜上；

上述栅电极配置于上述第二衬底的第一面上。

8.按照权利要求7所述的场效应晶体管，其中，

上述第二衬底具有：由半导体或金属构成的支持衬底、以及形成于上述支持衬底第一面上的第二绝缘膜；

上述栅电极配置于上述第二绝缘膜上。

9.按照权利要求7所述的场效应晶体管，其中，

上述衬底的第二面与上述第二衬底的第二面通过导电性衬底或导电性部件电性连接。

10.一种生物传感器装置，其具备组件部，该组件部包含结合有被检测物质辨识分子的场效应晶体管；其中，

上述场效应晶体管为权利要求1所述的场效应晶体管。

11.按照权利要求10所述的生物传感器装置，其中，

上述组件部可在生物传感器装置主体中装卸；

在上述组件部安装于上述生物传感器装置主体中时，上述源电极和漏电极使电流在上述沟道中流通；

在上述组件部安装于上述生物传感器装置主体中时，上述栅电极控制在上述沟道中流通的电流。

12.一种包含权利要求7所述的场效应晶体管的生物传感器装置，其包括：

生物传感器装置主体，其具有上述衬底、源电极、漏电极以及沟道；以及

组件部，其具有上述第二衬底、栅电极以及结合于上述第二衬底或栅电极上的被检测物质辨识分子；

其中，上述组件部可在上述生物传感器装置主体中装卸；

在上述组件部安装于上述生物传感器装置主体中时，上述栅电极控制在上述沟道中流通的电流。

13.一种芯片，其包括：权利要求11或12所述的可在上述生物传感器装置主体中装卸的组件部。

14.按照权利要求10所述的生物传感器装置，进一步包括：

存储装置，其用于存储表示被检测物质浓度与在I-V特性曲线或I-Vg特性曲线的特定点处的源极-漏极电流或栅极电压的关系的检量线；以及

浓度确定装置，其使用上述检量线，确定未知试样所含的被检测物质浓度。

15.按照权利要求14所述的生物传感器装置，其中，上述浓度确定装置包括：

对被检测物质浓度未知的试样，测定上述I-V特性曲线或I-Vg特性曲线的特定点处的源极-漏极电流或栅极电压的装置；以及

基于上述测定的源极-漏极电流或栅极电压，通过上述检量线求出被检测物质浓度的浓度计算装置。