[发明专利]抗反射涂层，尤其用于太阳能电池，以及用于生产该涂层的方法

权利要求书

1.一种抗反射涂层(4)，其特征在于，包括至少一个多孔硅的抗反射内层(6)和氮氧化硅的外层(8)，其中所述外层(8)基本上是无孔的和基本上没有杂质的并且形成在所述内层上。

2.根据权利要求l所述的涂层，包括多个抗反射内层，其中所述多个抗反射内层由多孔硅制成并且所述多个抗反射内层的折射率互不相同。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的涂层，其中每一个多孔硅层具有至少等于42nm的厚度。

4.根据权利要求1和2中任一项所述的涂层，其中每一个多孔硅层具有包括在42nm和53nm之间的厚度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的涂层，其中每一个多孔硅层具有包括在2.6和2.9之间的折射率。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的涂层，其中所述氮氧化硅层具有包括在76nm和112nm之间的厚度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的涂层，其中所述氮氧化硅层具有包括在1.5和1.7之间的折射率。

8.根据权利要求1所述的涂层，其中，所述多孔硅层具有52nm的厚度和2.9的折射率，并且所述氮氧化硅层具有94nm的厚度和1.5的折射率。

9.一种用于太阳能电池的涂层，包括根据权利要求1至8中任一项所述的抗反射涂层。

10.包括根据权利要求1至8中任一项所述的抗反射涂层的太阳能电池。

11.一种用于在固体硅的暴露表面上形成抗反射涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

一通过预定厚度将多孔化处理施加至所述固体硅的暴露表面，以便形成一个多孔硅的层或多个具有不同折射率的多孔硅的层；以及

一在由此获得的多孔硅层的自由面上沉积氮氧化硅的固体层，所述氮氧化硅的固体层基本上是无孔的和基本上没有杂质。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述氮氧化硅的层是通过等离子体增强的化学气相沉积、激光烧蚀或氮离子注入获得的。

13.根据权利要求11和12中任一项所述的方法，其中所述固体硅的表面是太阳能电池面板的表面。

14.根据权利要求11和13中任一项所述的方法，其中每一个多孔硅的固体层是以硅晶片阳极化的不同方式在所述硅晶片上生长的。

15.通过根据权利要求11至14中任一项所述的方法获得的抗反射涂层在固体硅表面方面的应用。