[发明专利]带有介电间隔环的边缘环组件

权利要求书

1.一种边缘环组件，其适于围绕在等离子体蚀刻室中的基片支撑件表面，所述边缘环组件包括：

边缘环，其尺寸适于位于设在所述室内的基片支撑件表面上的基片之下，并提供在所述基片的下表面和所述边缘环的上表面之间的隙距；以及

在所述边缘环和所述基片支撑件表面之间的介电间隔环，所述介电间隔环的尺寸适于在位于所述基片支撑件表面上的基片的下表面和所述介电间隔环的上表面之间提供隙距。

2.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，所述介电间隔环与耦合环的上表面或基板的上表面结合。

3.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，在所述边缘环和所述介电间隔环之间的径向间隙和/或在所述介电间隔环和所述基片支撑件表面之间的径向间隙小于0.25mm。

4.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，所述介电间隔环具有从约0.5mm到2.5mm的宽度，以及从约1mm到3mm的高度。

5.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，所述介电间隔环包括在耦合环径向内表面上形成的轴向向上延伸的部分。

6.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，当所述介电间隔环和所述边缘环安装于所述室中时，所述介电间隔环的上表面和所述边缘环的最靠内的上表面大体上是共面的。

7.根据权利要求2所述的边缘环组件，其中，所述介电间隔环和/或所述耦合环由石英制成。

8.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，所述边缘环由硅、硅碳化物、铝氧化物、铝氮化物、硅氮化物、石英或其组合制成。

9.根据权利要求1所述的边缘环组件，其中，所述边缘环的径向外部比所述介电间隔环厚。

10.根据权利要求2所述的边缘环组件，进一步包括至少一个延伸通过所述耦合环或所述基板的气体通道，所述气体通道适于提供热传递气体到所述边缘环和/或所述介电间隔环的邻近表面。

11.一种等离子体蚀刻室，其包括边缘环组件，所述边缘环组件适于围绕在所述等离子体蚀刻室中的基片支撑件表面，所述等离子体蚀刻室包括：

基片支撑件，其具有基片支撑件表面；

边缘环，其尺寸适于位于基片之下，并在位于所述室内的所述基片支撑件表面上的基片的下表面和所述边缘环的上表面之间提供隙距；以及

在所述边缘环和所述基片支撑件表面之间的介电间隔环，所述介电间隔环的尺寸适于在位于所述基片支撑件表面上的所述基片的下表面和所述介电间隔环的上表面之间提供隙距。

12.根据权利要求11所述的等离子体室，其中，基片被安装在所述基片支撑件表面上，使得所述基片的外部边缘突出所述介电间隔环和所述边缘环的径向内部。

13.根据权利要求12所述的等离子体室，其中，所述介电间隔环具有有效地将所述边缘环与所述基板电绝缘的宽度，以及具有有效地最小化在所述介电间隔环和所述基片之间的间隙内的聚合物沉积的高度。

14.根据权利要求11所述的等离子体室，其中，在所述基片支撑件表面的平面和所述介电间隔环上表面的平面之间的距离小于约0.25mm，并且在所述基片支撑件表面的平面和所述边缘环径向内部的上表面的平面之间的距离小于约0.25mm。

15.根据权利要求12所述的等离子体室，其中，在所述基片下表面和所述介电间隔环上表面之间的间隙小于约0.25mm，并且在所述基片下表面和所述边缘环径向内部的上表面之间的间隙小于约0.25mm。

16.根据权利要求11所述的等离子体室，其中，所述等离子体蚀刻室包括平行板反应器，所述平行板反应器具有面向所述基片支撑件的上部喷头电极。

17.根据权利要求11所述的等离子体室，其中，所述基片支撑件包括射频驱动电极。

18.根据权利要求11所述的等离子体室，其中，所述基片支撑件包括静电卡盘。