[发明专利]用于监控工艺环境中的动态参数的自校正多变量分析

权利要求书

1.一种工艺监控方法，包括：

根据与工艺环境的监控参数相对应的数据，产生工艺环境的多变量分析基准模型；

标识与工艺环境的成熟相关的至少一个监控参数；

收集与监控参数相对应的当前工艺数据，其中包括至少一个经标识的参数；以及

基于至少一个经标识的参数的当前工艺数据，调整多变量基准模型，以解释工艺环境的成熟。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

根据当前工艺数据，产生用于表示工艺环境当前状态的一个或多个当前多变量分析工艺度量；以及

将一个或多个当前工艺度量和调整后的基准模型进行比较，以确定工艺环境的当前状态是否可接受。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，产生基准模型包括：

产生关于用于表示工艺环境状态的度量的度量值和一组阈值，这组阈值定义与工艺环境后续状态相关联的可接受度量值的范围。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，调整基准模型包括：

基于至少一个经标识的参数的当前工艺数据，调整基准模型的那组阈值，以解释工艺环境的成熟。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

根据当前工艺数据，产生用于表示工艺环境当前状态的一个或多个当前多变量分析工艺度量；

将一个或多个当前多变量分析工艺度量和调整后的那组阈值进行比较，以确定工艺环境的当前状态是否可接受。

6.一种半导体工艺监控方法，包括：

根据与半导体工艺腔室的监控参数相对应的数据，产生半导体工艺腔室的多变量分析基准模型；

标识与半导体工艺腔室的成熟相关的至少一个监控参数；

收集与工艺腔室的监控参数相对应的当前工艺数据，其中包括至少一个经标识的参数；以及

基于至少一个经标识的参数的当前工艺数据，调整多变量基准模型，以解释半导体工艺腔室的成熟。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

根据当前工艺数据，产生用于表示半导体工艺腔室当前状态的一个或多个当前多变量分析工艺度量；以及

将一个或多个当前多变量分析工艺度量和调整后的基准模型进行比较，以确定工艺环境的当前状态是否可接受。

8.一种工艺监控设备，包括：

多变量分析模块，它能够根据与工艺环境的监控参数相对应的数据来产生工艺环境的多变量分析基准模型；

多变量分析模块还能够接收与工艺环境的成熟相关的至少一个监控参数的标识；

工艺接口，它能够收集与监控参数相对应的当前工艺数据，其中包括至少一个经标识的参数；以及

多变量分析模块还能够基于至少一个经标识的参数的当前工艺数据来调整多变量基准模型以解释工艺环境的成熟。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述多变量分析模块还能够：根据当前工艺数据来产生用于表示工艺环境当前状态的一个或多个当前多变量分析工艺度量；以及将一个或多个当前工艺度量和调整后的基准模型进行比较以确定工艺环境的当前状态是否可接受。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多变量分析模块能够产生关于用于表示工艺环境状态的度量的度量值和一组阈值，这组阈值定义与工艺环境后续状态相关联的可接受度量值的范围。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述多变量分析模块能够基于至少一个经标识的参数的当前工艺数据来调整基准模型的那组阈值以解释工艺环境的成熟。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述多变量分析模块能够：根据当前工艺数据来产生用于表示工艺环境当前状态的一个或多个当前多变量分析工艺度量；以及将一个或多个当前多变量分析工艺度量和调整后的那组阈值进行比较以确定工艺环境的当前状态是否可接受。