[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

由III族氮化物半导体制成的层结构，其包括异质结；

形成在由III族氮化物半导体制成的层结构上的源电极和漏电极，彼此隔开一间隔；

栅电极，设置在源电极和漏电极之间；

第一场极板，设置在栅电极和漏电极之间的区域中由III族氮化物半导体制成的层结构上方，并且与由III族氮化物半导体制成的层结构隔离开；和

第二场极板，设置在由III族氮化物半导体制成的层结构上方，并且与由III族氮化物半导体制成的层结构和第一场极板隔离开，

其中

第二场极板包括屏蔽部分，其位于第一场极板和漏电极之间的区域中，并且用于将第一场极板与漏电极屏蔽开，和

该屏蔽部分的上端位于第一场极板的上表面上方，

由此，在栅极长度方向上的截面图中，

当其中第二场极板与包括第一场极板和栅电极的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol和栅极长度指定为Lg时，

满足下面表示的关系：

0≤Lol/Lg≤1。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，

其中屏蔽部分的下端相对于第一场极板下端位于由III族氮化物半导体制成的层结构侧上。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管，进一步包括：

第一绝缘膜，用于覆盖栅电极和漏电极之间的区域中的由III族氮化物半导体制成的层结构的表面，

其中在第一场极板和漏电极之间的区域中的第一绝缘膜处设置凹陷部分，和

以与第一绝缘膜的上表面接触的方式提供第一场极板，并且屏蔽部分的下端位于凹陷部分内。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，

其中第一场极板的下端相对于屏蔽部分的下端位于由III族氮化物半导体制成的层结构侧上。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管，包括：

第一绝缘膜，用于覆盖栅电极和漏电极之间的区域中的由III族氮化物半导体制成的层结构的表面，以及

第二绝缘膜，提供在第一场极板和漏电极之间的区域中的第一绝缘膜上，

其中第一场极板以与第一绝缘膜的上表面接触的方式设置，且屏蔽部分的下端与第二绝缘膜的上表面接触。

6.如权利要求1至5中任一项所述的场效应晶体管，

其中第一场极板被偏置在与栅电极相同的电位。

7.如权利要求1-6中任一项所述的场效应晶体管，

其中第二场极板被偏置在与源电极相同的电位。

8.如权利要求1-7中任一项所述的场效应晶体管，

其中第一场极板与栅电极一起整体构造成单块形状。

9.如权利要求1-7中任一项所述的场效应晶体管，

其中第一场极板包括以与栅电极间隔开的方式提供的电场控制电极。

10.如权利要求1-9中任一项所述的场效应晶体管，

其中Lol＝0。

11.如权利要求1-9中任一项所述的场效应晶体管，

其中第二场极板表现出与第一场极板的一些交叠，且第二场极板不与栅电极交叠。

12.如权利要求1-11中任一项所述的场效应晶体管，

其中，在栅极长度方向上的截面图上，

当将从栅电极端部朝着漏电极的第一场极板的在栅极长度方向上的延伸宽度指定为Lfp1，以及将第二场极板的下表面的在栅极长度方向上的长度指定为Lfp2时，

满足以下表示的公式(1)：

0.5×Lfp1≤Lfp2    (1)。