[发明专利]形成贯穿晶片互连的方法和由其形成的结构

权利要求书

1.一种形成贯穿晶片互连的方法，所述方法包括：

在衬底的第一表面中形成盲孔；

将第一介电层沉积在所述孔的内表面上；

将导电层沉积在所述第一介电层上；

将第二介电层沉积在所述导电层上；以及

通过所述衬底的第二相对表面暴露所述导电层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在通过所述衬底的所述第二相对表面暴露所述导电层之前，通过所述衬底的第二表面暴露所述第一介电层，且将第三介电层放置在所述衬底的所述相对第二表面和所述暴露的第一介电层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：在暴露所述导电层的一部分之前，通过所述衬底的所述第二相对表面暴露所述第一介电层的一部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中通过所述衬底的所述第二表面暴露所述第一介电层的一部分包括：去除所述衬底的一部分。

5.根据权利要求2所述的方法，其中通过所述衬底的所述第二相对表面暴露所述导电层进一步包括：去除所述第三介电层的一部分和所述第一介电层的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底的所述第一表面中形成所述孔包括：穿过所述衬底的所述第一表面上的接合垫形成所述孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述导电层上沉积所述第二介电层进一步包括：将所述第二介电层沉积在所述衬底的所述第一表面和所述孔的包含所述导电层的内表面上，且其中所述方法进一步包含至少从所述衬底的所述第一表面去除所述第二介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中至少从所述衬底的所述第一表面去除所述第二介电层包括隔离物蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将导电材料设置在所述导电层的通过所述衬底的所述第二相对表面暴露的所述部分上。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：用填充物材料填充所述孔。

11.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述导电层包括：在所述第一介电层上沉积至少一个金属层。

12.一种在衬底中形成贯穿晶片互连的方法，所述方法包括：

在所述衬底的第一表面中形成盲孔；

将第一介电层沉积在所述孔的内表面上；

将导电层沉积在所述第一介电层上；

将第二介电层沉积在所述衬底的所述第一表面上和所述导电层上；

从所述衬底的所述第一表面去除所述第二介电层，使得所述第二介电层仍然位于所述导电层的至少一部分上；

通过所述衬底的第二表面暴露所述第一介电层的一部分；

将第三介电层放置在所述衬底的所述相对第二表面和所述第一介电层的所述暴露部分上；

去除所述第三介电层的一部分以通过所述第三介电层的剩余部分暴露所述第一介电层的一部分；以及

去除所述第一介电层的所述暴露部分，并通过所述衬底的所述第二相对表面和所述第三介电层的所述剩余部分暴露所述导电层的一部分。

13.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有第一表面和第二相对表面；

贯穿晶片互连结构，其从所述第一表面延伸到所述第二相对表面，所述贯穿晶片互连包括：

导电材料，其从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二相对表面，其中通过所述衬底的所述第一表面暴露所述导电材料的第一部分，且通过所述衬底的所述第二相对表面暴露所述导电材料的第二部分；

第一介电材料，其设置在所述导电材料与所述衬底之间，且从所述衬底的所述第二相对表面延伸到所述导电材料的所述第一部分；以及

第二介电材料，其设置在所述导电材料的一部分上，且展示出界定从所述第一表面朝向所述第二相对表面延伸的盲孔的表面。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其进一步包括覆盖所述衬底的所述第二相对表面的至少一部分的介电层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中覆盖所述第二相对表面的至少一部分的所述介电层包括Parylene^TM聚合物、玻璃增强聚酰亚胺聚合物、PBO、BCB、介电环氧树脂、低硅烷氧化物、二氧化硅和氧化铝中的至少一者。