[发明专利]制造包括硅MEMS传声器的微电子封装的方法

权利要求书

1、一种制造包括诸如硅MEMS传声器(60)的声学换能器的微电子封装(1，2，3，4，5)的方法，包括如下步骤：

-提供基本结构，所述基本结构具有三个部分，即：第一封装部分(11；71，55；81；91)，其具有用于将所述封装(1，2，3，4，5)连接到另一电气装置的导电连接焊盘(31)；第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)，其具有容纳声学换能器(60)的空间(16，66，86，96)；以及设置在所述第一封装部分(11；71，55；81；91)和所述第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)之间的中间封装部分(13，73，83，93)；

-折叠所述基本结构，其中形成封装(1，2，3，4，5)，在所述封装中，所述第一封装部分(11；71，55；81；91)和所述第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)彼此叠置，且其中所述第一封装部分(11；71，55；81；91)的所述导电连接焊盘(31)位于所述封装(1，2，3，4，5)的外侧，而所述声学换能器(60)位于所述封装(1，2，3，4，5)的内部；以及

-相对于彼此固定所述第一封装部分(11；71，55；81；91)和所述第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)。

2、根据权利要求1所述的方法，其中所述提供基本结构的步骤包括如下步骤：提供可折叠衬底(70，80，90)；在所述衬底(70，80，90)的第一部分(71，81，91)上设置用于将所述封装(3，4，5)连接到另一电气装置的所述导电连接焊盘(31)；以及在所述衬底(70，80，90)的第二部分(72，82，92)上设置所述声学换能器(60)；且其中所述折叠基本结构的步骤包括分三段折叠所述衬底(70，80，90)。

3、根据权利要求1或2所述的方法，包括如下步骤：为所述第二封装部分提供具有空腔(16)的层(12)，所述空腔(16)用于容纳所述声学换能器(60)。

4、根据权利要求1或2所述的方法，包括如下步骤：为所述第二封装部分提供环形元件(65，95)，所述环形元件围出用于容纳所述声学换能器(60)的空间(66，96)。

5、根据权利要求1或2所述的方法，包括如下步骤：为所述第二封装部分提供具有用于容纳所述声学换能器(60)的空间(86)的盖体(85)，其中在已经将所述换能器(60)设置在所述第二封装部分上之后将所述盖体(85)置于所述声学换能器(60)上方。

6、根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中提供诸如IC芯片(50)的另一微电子元件，其中该元件(50)设置于所述第一封装部分(71，55；91)上，且其中在执行所述折叠基本结构的步骤之后将该元件(50)和所述声学换能器(60)彼此叠置。

7、根据权利要求6所述的方法，包括如下步骤：为所述第一封装部分提供环形元件(55)，所述环形元件(55)围出用于容纳所述微电子元件(50)的空间(56)。

8、根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述基本结构最初为更大的基本面板(100)的一部分，并且其中在执行所述折叠基本结构以及相对于彼此固定所述第一封装部分(91)和所述第二封装部分(92，95)的步骤之后，所述基本结构从所述基本面板(100)完全分离。

9、在根据权利要求1-8中任一项所述的方法中使用的可折叠基本结构，包括：具有导电连接焊盘(31)的第一封装部分(11；71，55；81；91)，具有容纳声学换能器(60)的空间(16，66，86，96)的第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)，以及设置于所述第一封装部分(11；71，55；81；91)和所述第二封装部分(12；72，65；82，85；92，95)之间的中间封装部分(13，73，83，93)。

10、根据权利要求9所述的可折叠基本结构，还包括诸如IC芯片(50)的另一微电子元件和从该元件(50)延伸到所述声学换能器(60)的导电迹线(33)。