[发明专利]可变电阻元件和其制造方法以及具备其的存储装置有效
申请号: | 200680029245.0 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101238582A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 细井康成 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L49/00;H01L45/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可变 电阻 元件 制造 方法 以及 具备 存储 装置 | ||
1.一种可变电阻元件,具备第1电极、第2电极和可变电阻体,上述可变电阻体存在于被上述第1电极和上述第2电极所夹持的区域中,通过对上述第1电极和上述第2电极之间施加电压脉冲,从而使上述第1电极和上述第2电极之间的电阻变化,其特征在于,
上述可变电阻体是过渡金属元素的氧氮化物。
2.根据权利要求1所述的可变电阻元件,其特征在于,上述可变电阻体是从钛、镍、钒、锆、钨、钴和锌中选择的元素的氧氮化物。
3.根据权利要求1所述的可变电阻元件,其特征在于,上述第2电极是导电性氮化物,该导电性氮化物包含与构成作为氧氮化物的上述可变电阻体的过渡金属相同的元素。
4.根据权利要求3所述的可变电阻元件,其特征在于,上述第2电极是从钛、镍、钒、锆、钨、钴和锌中选择的元素的导电性氮化物。
5.根据权利要求1至4的任何一项所述的可变电阻元件,其特征在于,上述第1电极与上述可变电阻体接触或相向的区域的面积、或者上述第2电极与上述可变电阻体接触或相向的区域的面积之中小的一方的面积为0.06μm2以下。
6.一种根据权利要求1至3的任何一项所述的可变电阻元件的制造方法,其特征在于,具有:
形成由过渡金属的导电性氮化物构成的上述第2电极的工序;
通过氧化上述第2电极的表面从而形成由过渡金属元素的氧氮化物构成的上述可变电阻体的工序;以及
形成上述第1电极的工序。
7.根据权利要求6所述的可变电阻元件的制造方法,其特征在于,上述第2电极是从钛、镍、钒、锆、钨、钴和锌中选择的元素的导电性氮化物。
8.一种具备可变电阻元件的存储装置,其中该可变电阻元件具备第1电极、第2电极和可变电阻体,上述可变电阻体存在于被上述第1电极和上述第2电极所夹持的区域中,通过对上述第1电极和上述第2电极之间施加电压脉冲,从而使上述第1电极和上述第2电极之间的电阻变化,其特征在于,
上述可变电阻体是过渡金属元素的氧氮化物。
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