[发明专利]背面到正面的通道工艺

权利要求书

1.一种用于在第一半导体芯片中形成传导通道的方法，其特征在于，所述方法包含：

创建至少穿透部分衬底的第一通道，所述第一通道从所述衬底的外表面向内延伸并朝向掺杂半导体延伸，并且所述第一通道具有底部；

将第一导电材料引入所述第一通道中，从而在所述衬底的所述外表面和所述第一通道的所述底部之间创建第一导电通路；

创建第二通道，所述第二通道从所述掺杂半导体的外表面延伸到所述第一通道的所述底部；以及

将第二导电材料引入到所述第二通道中，从而在所述衬底的所述外表面和所述掺杂半导体的所述外表面之间创建第二导电通路。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含将第一电绝缘材料引入到所述第一通道中。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含将第二电绝缘材料引入到所述第二通道中。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述第一导电材料引入到所述第一通道中包含镀覆金属或合金之一。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述镀覆包含电镀。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述镀覆包含非电镀镀覆。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述第一导电材料引入到所述第一通道中包含使用淀积工艺淀积金属或合金之一。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述第一导电材料引入到所述第一通道中包含在所述第一通道中形成同轴导体。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述第一导电材料引入到所述第一通道中包含在所述第一通道中形成三轴导体。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含通过将所述第一半导体芯片与第二半导体芯片堆叠形成单元，其中，所述第一半导体芯片包括邻接所述掺杂半导体的所述衬底，并且，所述形成所述单元包括将所述第二半导体芯片的电接触连接到所述第二导电通路。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含形成导电轨迹，所述导电轨迹从用于与所述第一半导体芯片上的装置接触的装置延伸到所述第一或第二导电材料之一，并且所述第一半导体芯片包括邻接所述掺杂半导体的所述衬底。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中将所述第二导电材料引入到所述第二通道中包含使用所述第一导电材料作为籽晶，用来镀覆所述第二导电材料。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，其中所述第二导电材料的所述镀覆包含电镀。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，其中所述第二导电材料的所述镀覆包含非电镀镀覆。

15.一种用于在半导体芯片中形成传导通道的系统，其特征在于，所述系统包含：

用于创建至少穿透部分衬底的第一通道的装置，所述第一通道从所述衬底的外表面向内延伸并朝向掺杂半导体延伸，并且所述第一通道具有底部；

用于将第一导电材料引入所述第一通道中、从而在所述衬底的所述外表面和所述第一通道的所述底部之间创建第一导电通路的装置；

用于创建第二通道的装置，所述第二通道从所述掺杂半导体的外表面延伸到所述第一通道的所述底部；以及

用于将第二导电材料引入到所述第二通道中、从而在所述衬底的所述外表面和所述掺杂半导体的所述外表面之间创建第二导电通路的装置。