[发明专利]多环稠环化合物的生产方法

权利要求书

1.一种生产符合式(10)的多环稠环化合物的方法：

该方法包括采用桥连硅基保护基和侧链前体处理多环稠环多元醇，其中

多环稠环多元醇符合式(3)：

桥连硅基保护基符合式(4)：

侧链前体符合式(6)：

X₂为烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、-OX₆、-SX₇或-NX₈X₉；

X₃为取代或未取代的烷基、烯基、炔基、苯基或杂环基；

X₅为-COX₁₀、-COOX₁₀或-CONHX₁₀；

X₆为酰基、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、氢或羟基保护基；

X₇为烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基或巯基保护基；

X₈为氢、烃基、取代的烃基或杂环基；

X₉为氨基保护基；

X₁₀为烃基、取代的烃基或杂环基；

G₁、G₂、G₃和G₄独立地为烃基、取代的烃基、烷氧基或杂环基；

L₁和L₂独立地为胺、卤化物或磺酸酯离去基团；

Z为烃基、取代的烃基、杂环基、-[O-Si(Z₁₀)(Z₁₁)-]_nO-或-O-；

Z₁₀和Z₁₁为烃基；

n为1或2；和

虚线指的是多环稠环多元醇的骨架结构。

2.一种生产符合式(12)的多环稠环化合物的方法：

该方法包括采用桥连硅基保护基处理多环稠环多元醇，

其中

多环稠环多元醇符合式(3)：

和

桥连硅基保护基符合式(4)：

其中

G₁、G₂、G₃和G₄独立地为烃基、取代的烃基、烷氧基或杂环基；

L₁和L₂独立地为胺、卤化物或磺酸酯离去基团；

Z为烃基、取代的烃基、杂环基、-[O-Si(Z₁₀)(Z₁₁)-]_nO-或-O-；

Z₁₀和Z₁₁为烃基；

n为1或2；和

虚线指的是多环稠环多元醇的骨架结构，但是，条件是当Z为-O-时G₁、G₂、G₃和G₄不是支化烷基。